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【共同発表】磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功――スピントロニクスへの応用展開に期待――(発表主体:大学院工学系研究科)
東京大学 大学院工学系研究科 附属量子相エレクトロニクス研究センターの中野 匡規 特任准教授(研究当時、研究当時:理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター創発機能界面研究ユニット ユニットリーダー兼任、現:芝浦工業大学 工学部 教授)、同研究科 物理工学専攻の岩佐 義宏 教授(研究当時、研究当時:理研創発物性科学研究センター創発デバイス研究チーム チームリーダー兼任、現:理研創発物性科学研究センター 副センター長、同センター創発デバイス研究グループ グループディレクター)、梶原 駿 大学院生(研究当時)、王越(オウ エツ)大学院生(研究当時)、 #東大生研 の松岡 秀樹 特任助教(理研創発物性科学研究センター創発デバイス研究チーム客員研究員兼任、研究当時:同センター基礎科学特別研究員)らの研究グループは、同大学 大学院工学系研究科 附属量子相エレクトロニクス研究センターの平山 元昭 特任准教授(理研創発物性科学研究センタートポロジカル材料設計研究ユニット ユニットリーダー兼任)、同大学 先端科学技術研究センターの野本拓也講師(研究当時、現:東京都立大学理学部物理学科 准教授、理研創発物性科学研究センター計算物質科学研究チーム 客員研究員兼任)、有田 亮太郎 教授(理研創発物性科学研究センター計算物質科学研究チーム チームリーダー兼任)と共同で、磁性半金属と呼ばれる特殊な強磁性体において、強磁性転移温度、磁気異方性、磁気輸送特性などの性質を、ゲート電圧で変調することに成功しました。強磁性転移温度の大幅な上昇、磁気異方性の完全な切り替えなどの劇的な変化が観測され、その起源として、半金属的な電子構造と磁性の強い結合が示唆されました。本研究の結果を利用することで、磁性半金属を主役とする新原理スピントロニクスデバイスへの応用展開が期待されます。
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