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小林 正治 准教授が 2021年度IEEE EDS Paul Rappaport Awardを受賞

 令和4年12月5日、2021年度IEEE EDS Paul Rappaport Awardの受賞者が発表され、本所の小林 正治 准教授の研究グループが受賞しました。

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左よりIEEE EDS president, Ravi Todi氏、更屋 拓哉 助手、小林 正治 准教授、平本 俊郎 教授

○2021年度IEEE EDS Paul Rappaort Awardとは
 半導体デバイス分野では最高権威のジャーナルIEEE Transactions on Electron Devicesにおいて、2021年に掲載された論文の中で、年間最優秀論文に対して授与される賞です。

○受賞情報
 受賞対象となった研究テーマは、"Monolithic Integration of Oxide Semiconductor FET and Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-Doped InGaZnO for 3-D Embedded RAM Application"です。本研究では、高移動度で高信頼性な酸化物半導体トランジスタと次世代強誘電体キャパシタを同時集積するデバイスを考案・設計し、本所のクリーンルームで試作を行い、モノリシックに三次元集積可能な混載メモリを開発しました。今回の研究成果により、高密度で低消費電力、かつ広帯域な混載メモリが実現され、高エネルギー効率なコンピューティングが可能となることが期待されます。

○受賞コメント
 この度は大変栄誉ある賞をいただくことができ、共著者であるJixuan Wu 特任研究員(現在:山東大学)、莫 非さん (博士課程学生、現在:キオクシア株式会社)、平本 俊郎 研究室 更屋 拓哉 助手、本所の平本 俊郎 教授、そして共同研究者である株式会社 神戸製鋼所の越智 元隆 氏、株式会社コベルコ科研の後藤 裕史 氏に感謝いたします。本研究は本所のクリーンルームでなければ実現できず、本所の多大なご支援に感謝いたします。引き続き質の高い研究ができるよう努力して参ります。

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