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次世代パワーエレクトロニクス材料AlGaNの安価・高品質な製造手法を開発
次世代パワーエレクトロニクス材料AlGaNの安価・高品質な製造手法を開発

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東京大学 生産技術研究所の藤岡 洋 教授は、スパッタリング法と呼ばれる手法を用い、次世代パワーエレクトロニクス用半導体材料として期待されている、AlGaNの高品質な半導体結晶を安価に合成する新手法を開発しました。
縮退GaNと呼ばれる電極結晶を用いてAlGaNトランジスタを試作し、オン抵抗(トランジスタが導通したときの抵抗)の低減に成功しました。
高性能なパワーエレクトロニクス素子を安価な手法で作製でき、電力変換素子や6Gなど次世代無線通信用素子としての利用が期待できます。