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Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発~機械学習ハードウェアの高エネルギー効率化へ期待~
Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発~機械学習ハードウェアの高エネルギー効率化へ期待~

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東京大学 生産技術研究所の小林 正治 准教授らは、神戸製鋼所およびコベルコ科研と共同で、Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功しました。このメモリデバイス技術により機械学習をエッジデバイスにも実装することが可能になり、人工知能を用いたより高度で充実した社会サービスの展開が期待されます。