#東大生研 福谷 克之 教授、小澤 孝拓 助教、日本原子力研究開発機構 先端基礎研究センター 植田 寛和 研究副主幹、京都工芸繊維大学 電気電子工学系 三浦 良雄 教授、大阪大学 大学院工学研究科 Wilson Agerico Diño 准教授らの研究グループは、水素原子の電子スピンの向きを制御することで、ニッケル表面での水素吸着確率と水素引き抜き反応確率が大きく変化することを明らかにしました。原子・分子の並進・振動・回転運動に加えて、電子スピンが表面化学反応を左右する重要な自由度であることを実験的に示しました。外部磁場によるスピン制御を利用して表面化学反応の速度を制御するという、新たな触媒反応制御への展開が期待されます。