2022.06.12 プレスリリース 【記者発表】三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待~ #東大生研 の小林 正治 准教授と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡 行治 教授らの共同研究グループは、酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜する技術を開発し、高密度かつ低消費電力である三次元垂直チャネル型の強誘電体および反強誘電体トランジスタメモリを実現しました。
2021.06.01 プレスリリース 【記者発表】Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発~機械学習ハードウェアの高エネルギー効率化へ期待~ #東大生研 の小林 正治 准教授らは、神戸製鋼所およびコベルコ科研と共同で、Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功しました。このメモリデバイス技術により機械学習をエッジデバイスにも実装することが可能になり、人工知能を用いたより高度で充実した社会サービスの展開が期待されます。
2021.03.10 トピックス 小林 正治 准教授の研究グループが第1回IEEE EDS Leo Esaki Awardを受賞 #東大生研 の小林 正治 准教授、大学院学生 多川 友作 君、莫 非 特任研究員、更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授が第1回IEEE EDSLeo Esaki Awardを受賞しました。電子デバイス分野で著名なIEEE Journal of Electron Devices Societyに掲載された年間最優秀論文に対して授与される賞です。小林准教授のグループが栄えある第1回の受賞となりました。
2020.06.14 プレスリリース 【記者発表】IGZOと不揮発性メモリを三次元集積した新デバイスの開発に成功 ~ディープラーニングの高効率ハードウェア化へ期待~ #東大生研 の小林 正治 准教授らは、極薄の酸化物半導体をチャネルとするトランジスタと不揮発性メモリの三次元集積デバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能の実証に成功しました。この技術により、ディープラーニングがクラウドだけでなくエッジデバイスにも実装され、人工知能を用いたより高度で充実した社会サービスの展開が期待されます。
2019.06.10 プレスリリース 【共同発表】IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイスの開発に成功 ~メモリーデバイスの低消費電力化、高速化、大容量化に期待~(発表主体:科学技術振興機構) 小林 正治 准教授らは、極薄の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとして、スイッチング特性に優れた高移動度なトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功しました。この技術によりIoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待されます。