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小林 正治 教授
KOBAYASHI Masaharu

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集積ナノエレクトロニクス

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工学系研究科 電気系工学専攻

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プレスリリース
【記者発表】ゲートオールアラウンド型 ナノシート酸化物半導体トランジスタを開発――半導体の高集積化・高機能化へ期待――
#東大生研 小林 正治 准教授と、奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科 物質創成科学領域 浦岡 行治 教授、髙橋 崇典 助教らによる共同研究グループは、結晶化酸化物半導体の形成技術を開発し、トランジスタの高性能化・高信頼性化を実現しました。同技術によりゲートオールアラウンド型酸化物半導体トランジスタを開発しました。半導体の高集積化とそれによる高機能化により、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。
プレスリリース
【記者発表】原子層堆積法を用いたナノシート酸化物半導体トランジスタを開発――半導体の高集積化・高機能化へ期待――
#東大生研 小林 正治 准教授と、奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学領域 浦岡 行治 教授らによる共同研究グループは、ナノシート状の酸化物半導体を用いて高性能・高信頼性なトランジスタを開発しました。原子層堆積法により極めて薄い酸化物半導体の成膜方法を開発しデバイス集積しました。半導体の高集積化とそれによる高機能化により、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。
プレスリリース
【記者発表】三次元垂直チャネル型の強誘電体／反強誘電体メモリデバイスを開発～IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待～
#東大生研 の小林 正治 准教授と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡 行治 教授らの共同研究グループは、酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜する技術を開発し、高密度かつ低消費電力である三次元垂直チャネル型の強誘電体および反強誘電体トランジスタメモリを実現しました。
プレスリリース
【記者発表】Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発～機械学習ハードウェアの高エネルギー効率化へ期待～
#東大生研 の小林 正治 准教授らは、神戸製鋼所およびコベルコ科研と共同で、Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功しました。このメモリデバイス技術により機械学習をエッジデバイスにも実装することが可能になり、人工知能を用いたより高度で充実した社会サービスの展開が期待されます。
トピックス
小林 正治 准教授の研究グループが第1回IEEE EDS Leo Esaki Awardを受賞
#東大生研 の小林 正治 准教授、大学院学生 多川 友作 君、莫 非 特任研究員、更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授が第１回IEEE EDSLeo Esaki Awardを受賞しました。電子デバイス分野で著名なIEEE Journal of Electron Devices Societyに掲載された年間最優秀論文に対して授与される賞です。小林准教授のグループが栄えある第１回の受賞となりました。
プレスリリース
【記者発表】ＩＧＺＯと不揮発性メモリを三次元集積した新デバイスの開発に成功 ～ディープラーニングの高効率ハードウェア化へ期待～
#東大生研 の小林 正治 准教授らは、極薄の酸化物半導体をチャネルとするトランジスタと不揮発性メモリの三次元集積デバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能の実証に成功しました。この技術により、ディープラーニングがクラウドだけでなくエッジデバイスにも実装され、人工知能を用いたより高度で充実した社会サービスの展開が期待されます。
プレスリリース
【共同発表】ＩＧＺＯと次世代機能性材料を融合した新デバイスの開発に成功 ～メモリーデバイスの低消費電力化、高速化、大容量化に期待～（発表主体：科学技術振興機構）
小林 正治 准教授らは、極薄の金属酸化物半導体ＩＧＺＯをチャネルとして、スイッチング特性に優れた高移動度なトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功しました。この技術によりＩｏＴデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待されます。
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