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三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待~
三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待~

東京大学 生産技術研究所の小林 正治 准教授と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡 行治 教授らの共同研究グループは、酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜する技術を開発し、高密度かつ低消費電力である三次元垂直チャネル型の強誘電体および反強誘電体トランジスタメモリを実現しました。従来のスパッタ法ではなく原子層堆積法による成膜により、酸化物半導体の三次元集積メモリデバイスへの応用の可能性が開けました。また、強誘電体に加えて反強誘電体を用いることでメモリの書き換え動作を効率的に行うことができます。このメモリデバイス技術をIoTデバイスのストレージメモリに用いることで、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。