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シリコン膜からの熱放射の倍増に成功――半導体デバイスの排熱問題の解決に期待――
シリコン膜からの熱放射の倍増に成功――半導体デバイスの排熱問題の解決に期待――

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東京大学 大学院工学系研究科 立川 冴子 大学院生(日本学術振興会特別研究員)(研究当時)、同大学 生産技術研究所 ホセ オルドネス 国際研究員、ロラン ジャラベール 国際研究員、セバスチャン ヴォルツ 国際研究員、野村 政宏 教授らの研究グループは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させることで、酸化膜界面の格子振動により熱放射が増幅される表面フォノンポラリトンを熱励起し、シリコン膜からの熱放射を倍増させることに成功しました。
今後、排熱を課題とする電子機器の熱管理や輻射ヒーター、宇宙空間での放熱などに応用が期待されます。