日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催 |
主催 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 |
共催 科学研究費特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」 |
開催の趣旨 窒化物半導体分野においては,紫外発光素子,パワーエレクトロニクス,太陽電池など次々と新しい応用が開拓されています.窒化物半導体の結晶成長技術に関しては平成20年7月に第2回III族窒化物結晶成長国際シンポジウム(ISGN-2;Second International Symposium on Growth of III-Nitrides)が開催され,専門の研究者を一堂に介してこの分野の議論を深めました.本講演会では,窒化物半導体の結晶成長科学を理解することを目的に若手研究者の育成を目指しています. 本年度の講演会では,非極性面の窒化物結晶成長をはじめとする新しい結晶成長を招待講演のテーマとして取り上げました.一般講演では最新の技術動向を総合的かつ俯瞰的に討論します. |
日程 平成22年5月14日(金)〜15日(土) |
会場 三重大学 講堂(三翠ホール) 【所在地・連絡先】 三重県津市栗真町屋町1577 TEL 059-232-1211(代表) 【最寄り駅】 バス・タクシー利用 津駅(JR,近鉄) 徒歩(15分) 江戸橋駅(近鉄) 【交通案内】 http://www.mie-u.ac.jp/map/traffic/ 【キャンパスMAP】 http://www.mie-u.ac.jp/map/campus/ |
招待講演 基調講演
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参加費 一般 日本結晶成長学会会員,主催・共催・協賛の会員: \2,000 非会員: \5,000 学生 日本結晶成長学会学生会員: 無料 非会員: \1,000 会員扱いは、日本結晶成長学会, 学振161,162委員会、応用物理学会 結晶工学分科会,応用電子物性分科会、(財)科学技術交流財団 窒化物半導体応用研究会のいずれかの会員、または、本講演会の主催・共催・関係者 |
意見交換会 一般 \2,000 学生 \1,000 |
参加の申込み 準備の都合上、5月10日までに下記の参加登録をメールでお願いします。 送り先: hm@elec.mie-u.ac.jpまで 1行目: 氏名 2行目: 所属 3行目: 参加費のカテゴリー 一般会員、一般非会員、学生会員、学生非会員(該当以外は消す) 4行目: 講演会の参加 14日のみ、15日のみ、14と15日の両日(該当以外は消す) 5行目: 意見交換会 参加、不参加(該当以外は消す) |
アブストラクト作成と投稿 締め切りました |
プログラム Program(オーラル、ポスター)が公開されました。(NEW!) |
問い合せ先 三宅 秀人(三重大学) e-mail:miyake☆elec.mie-u.ac.jp 電話059-231-9401 (☆はアットマーク) |
協賛 応用物理学会 結晶工学分科会, 応用電子物性分科会 日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会、 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会 (財)科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 ![]() |