日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
第１回窒化物半導体結晶成長講演会
「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催
科学研究費特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」、東京農工大学　科学立国プログラム共催

• 「持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割」
  　天野　浩、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇（名城大学）
  

• 「GaN薄膜成長と転位挙動　−透過電子顕微鏡評価を中心に−」
  　酒井　朗（大阪大学）
• 「非極性面窒化物半導体エピタキシャル薄膜成長の課題と光学遷移過程の特徴」
  　秩父重英、羽豆耕治、尾沼猛儀（東北大学・多元研）、上殿明良（筑波大学）
• 「成長機構の理解　−核形成と表面拡散の考え方−」
  　西永　頌（豊橋技術科学大学）

• 「ＰＸＤ法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長」
  　太田実雄、上野耕平、小林　篤、井上　茂、藤岡　洋　（東京大学・生研）
• 「ポリタイプに着目したSiC極性面および無極性面上へのAlNのMBE成長」
  　須田　淳(京都大学)
  
• 「AlN〜AlGaN MOCVD成長その場観察 -縦型深紫外発光素子実現にむけて」
  　武内道一、青柳克信（立命館大学）
• 「Tiマスク選択成長法を用いたGaNナノウォール結晶のMBE成長」
  　菊池昭彦、星野隼之、岸野克巳（上智大学)
  
  

• 申込先　事務局(tabo☆iis.u-tokyo.ac.jp)　 (☆はアットマーク)
• 申込期日　2009年3月20日（金）
• 申込み方法　電子メールの件名は、「ポストISGN-2_2009」とし、で第1行目に論文のタイトル，第2行目に著者名，第3行目に所属、第4行目に所属の略称、第５行目に連絡責任者名、６行目に連絡責任者の電子メール、をお書き下さい。講演会の案内およびアブストラクト目次等に使用します。

1. A4 版の用紙で１ ページとする．
2. 言語は日本語または英語とし，第1 ページ目の第1行目に論文のタイトル，第2行目に著者名，第3行目に所属をセンタリングして記し，次に要旨，本文，図表，文献等を載せる．
3. フォントは明朝体あるいはTimes 12ポイント相当を用いる．ただしタイトルは14ポイントでかつボ−ルドとする．
4. 左右2.5cm，上下2cmのマ−ジンをとる．
5. 白黒の原稿とし，ページ番号は印刷しない．

【交通】

JR中央線「東小金井駅」下車、徒歩約10分［詳細な経路はこちらから］

JR中央線「武蔵小金井駅」下車、徒歩約20分［詳細な経路はこちらから］

• 一般（会員、または協賛の会員）　\2,000
• 一般（非会員）　\5,000
• 学生（登壇者または会員）　無料
• 学生（非会員で非登壇者）　\2,000