21世紀をリードする切り札:超省エネLSIをデバイスプロセスと回路システムを築く
桜井 貴康
桜井貴康(東京大学 国際・産学共同研究センター 教授)
平本俊郎(東京大学 生産技術研究所 教授)
黒田忠広(慶応義塾大学 理工学部電子工学科 教授)
平本俊郎
Tel  :03-5452-6263
Fax  :03-5452-6263
E-mai:hiramoto@nano.iis.u-tokyo.ac.jp
 さらなる高速化を追求しつつ、消費電力を大幅に低減するLSI技術は、21世紀の高度情
報化社会を支えるキーテクノロジーである。 今後の環境問題、エネルギー問題、高齢化問
題を解く鍵ともなる一方で、0.1μm以下への微細化は、この問題の解決なしには困難でも
ある。
 本研究会では、デバイスプロセスと回路システムの両面から、LSIの超低消費電力化にと
りくむ。 適正な規模の会合で密な討論を行い、諸問題の掘り下げ、解決法の模索、今後の
方向性などについて、国際的な視野に立って意見交換を行う。
年会費   :30万円

定  員   :最大10社、1社2人まで(理想的にはプロセスデバイス系、設計領域各1名)

運用方法 :年2回程度研究会を開催予定
        毎回、会員内外より講演を募り、それについての質疑応答を含めた議論を行う
        という形式で進行し、懇親会を併設して相互の情報交換を促進する一助とする。

Dynamic Threshold MOSFET(DTMOS)