21世紀をリードする切り札:超省エネLSIをデバイスプロセスと回路システムから築く
■低消費電力・高速LSI技術懇談会              RC-12 
■代表幹事
桜井貴康 (東京大学 国際・産学共同研究センター 教授)
平本俊郎 (東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター 助教授)
黒田忠広 (慶應義塾大学 理工学部電子工学科 助教授)
■連絡先
平本俊郎   
Fax: 03-5452-6263 
Tel: 03-5452-6263
e-mail: hiramoto@nano.iis.u-tokyo.ac.jp 
■主旨
 さらなる高速性を追求しつつ、消費電力を大幅に低滅するLSI技術は、21世紀の高度情報化社会を支えるキーテクノロジーである。今後の環境問題、エネルギー問題、高齢化問題を解く鍵ともなる一方で、0.1μm以下への微細化はこの問題の解決なしには困難でもある。
 本研究会では、デバイスプロセスと回路システムの両面から、LSIの超低消費電力化にとりくむ。適正な規模の会合で密な討論を行い、諸問題の掘り下げ、解決法の模索、今後の方向性などについて、国際的な視野にたって意見交換を行う。

■その他
年会費: 30万円
定員: 最大10社、1社2名まで(理想的にはプロセスデバイ ス系、設計領域各1名)
運用方法: 年2回程度研究会を開催予定

 毎回、会員内外より講演を募り、それについての質疑応答を含めた議論を行うという形式で進行し、懇親会を併設して相互の情報交換を促進する一助とする。 

 Dynamic Threshhold MOSFET (DTMOS)