VI. 研究および発表論文


1. 研究課題とその概要
B. 選定研究

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第49号 2000年度
2001.8.23


1. 強磁性強誘電体薄膜の作製

助教授 小田 克郎

 強磁性と強誘電性を組み合わせた新しい電磁気機能性を持つペロブスカイト型結晶構造の薄膜の作製し, その薄膜の強誘電, 強磁性特性を調べることを目的としている. 薄膜の作製方法としては優れた強誘電特性を得るためには必要不可欠な結晶配向性のそろった薄膜を作製するのに適したイオンビームスパッタリング法を用いている.

2. 暗号化ホログラフィーによるセキュリティー光情報伝送システムの研究

助教授 志村 努(代表者)

助手・特別研究員 的場 修, 助手 芦原 聡, 技術官 小野 英信

 暗号化されたホログラフィック・メモリーの情報を, 光ファイバー中を伝送させることを試みる. 本システムでは暗号化・伝送・復号化のすべての過程が純光学的に行われるため, 超高速な処理システムとなりうる. 光の振幅・位相・偏光を変調したコーディング法をそれぞれ試み, その安全性を検証した. また伝送可能な情報量についても考察した.

3. 半導体極微細構造における物性評価のための走査ナノプローブ計測技術の開発

助教授 高橋 琢二

 GaAs(001)面基板もしくは(110)面微傾斜基板上を利用すると, それぞれInAs量子ドット構造および細線構造を結晶成長によって作製することができる. これらの試料について, レーザ光照射走査トンネル顕微鏡(STM)システムにより表面近傍の電子的・光学的特性を評価して, 通常のGaAsでは顕著に現れる表面空乏化現象が逆に電子蓄積を起こしやすいInAsの成長によって抑制される様子をナノメートルスケールの空間分解能で観測した. また, ケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)による表面ポテンシャルの測定を通じて, InAsナノ構造による表面フェルミレベル変調効果についても評価を行った.

4. 真空中静電浮上テーブルシステムに関する基礎研究

助教授 新野 俊樹(代表者), 教授(東京大)樋口 俊郎

大学院学生(東京大)江戸 宏一

 真空中静電浮上は, 真空中での潤滑・無塵化にその効果を期待されているが, 高電圧を必要とするため, アンプなどの装置の実現性に問題があった. そこで本研究では, 比較的容易に制御可能な低電圧の交流電圧を発生し, 変圧器を用いて昇圧して浮上力を得る方法による重量物の真空中静電浮上の利用可能性を実証する. また, 浮上時の電極への流入電流から, 電極浮上体間のギャップのセンシングの可能性を示す. さらに, 1自由度浮上テーブルを実現するためには, 浮上体の運動のうち, 並進2軸, 回転3軸を拘束する浮上を実現しなければならない. そこで電極形状(歯)を浮上体表面に形成し, 鉛直方向位置, ロール角, ピッチ角を能動的に制御し, 水平方向軸のうちの1軸と, ヨー角とをエッジ効果により受動的に制御可能であることを実証する.

5. 光造型技術を利用した血管構造を持つ肝組織のin vitro再構築

講師 酒井 康行, 助教授 白樫 了

 大型ヒト臓器のin vitro再構築においては, 血管構造のような物質交換経路を臓器全体に配備することが必要不可欠である. そこで, 光重合性の生分解性樹脂を用いた三次元微細造型技術の可能性を検討している. 現在まで, 多孔質化した状況で適当な強度と柔軟性を持つ高機能樹脂の開発に成功しており, 多孔質化と微細造型を両立する造型プロセスについて検討を行っている.


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