VI. 研究および発表論文


2. 著書および学術雑誌等に発表したもの
物質・生命大部門

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第49号 2000年度
2001.8.23


荒木 研究室 Araki Lab.

Rh-SnおよびIr-Sn/Y型ゼオライト触媒によるメタノールのみからの酢酸(酢酸メチル)生成: 山川 哲, 松井智美, 増田 剛, 大西武士, 篠田純雄・生産研究, 52(11), pp.559-561, 2000.11 A

A Novel Fluorescent 2, 2, Bipyridine Derivative Prepared by Coupling to a Fluorescent Aminophenazine: Fluorescent Properties and Response toward Metal Cations: C.-S. Choi, T. Mutai, S. Ariata, K. Araki・J.Chem.Soc., Perkin Trans. 2, 2000, pp.243-247, Royal Society of Chemistry, 2000.2 C

Selective N-Methylation of Pyrazolone with Methanol by Use of ZrO2 Catalyst in the Liquid Phase: S. Shinoda, S. Shima and T. Yamakawa・Synlett,(6), 809-810, Thieme, 2000.6 C

Shape-selective N-Alkylation of Melamine using Alcohol as an Alkylating Agent with Ru/mordenite Catalyst in the Liquid Phase: S. Shinoda, K. Inage, T. Ohnishi and T. Yamakawa・Studies in Surface Science and Catalysis(The Proceedings of the 12th International Congress on Catalysis), 130D, 3465-3470, Elsevier Science B. V., 2000.7 C

[Ru(bpy)2(dppz-NH2 )] 2+Complex(dppz-NH2 : 7-amino-dipyrido[3, 2-a: 2', 3'-c]phenazine)as a Useful Photosensitizing Unit for Construction of Photoinduced Energy Transfer: C.-S. Choi, L. Mishra, T. Mutai, K. Araki・Bull.Chem.Soc.Jpn.,73, pp.2051-2058, 日本化学会, 2000.9 C

Selective and sensitive recognition of acidic phospholipids using a fluorescent 2,2'-bipyridine receptor: T. Mutai, E. Hamada, K. Fujita, K. Araki・XI International Symposium on Supramolecular Chemistry, Abstracts pp.280-281, 2000.8 D

Direct observation of supramolecular structure of alkylsilylated nucleosideorganogel system: T. Sato, M. Seko, I. Yoshikawa, Y. Mitsuda, K. Araki・XI International Symposium on Supramolecular Chemistry, Abstracts pp.579-580, 2000.8 D

Molecular Design of the Carrier for Construction of the Efficient Artificial Active Transport Systems: K. Araki and J. Watanabe・International Symposium on Molecular Synchronization for Design of New Materials System, Abstracts pp.125-126, 2000.9 D

Molecular Switches Based on Terpyridine Ru/Os Complexes: T. Akasaka, J. Otsuki, K. Araki・The Nagoya COE-RCMS Conference on Materials Science and Nanotechnology, Abstracts p.54, 2000.9 D

Supramolecular assemblies of tape-like pseudopolymer chains formed by interbase hydrogen bonds between alkylsilylated nucleoside derivatives: R. Takasawa, T. Sato, I. Yoshikawa, K. Araki・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies, Book of abstracts MACR 672, 2000.12 D

Molecular switches based on Ru/Os complexes containing an azoterpyridine bridging ligand: T. Akasaka, J. Otsuki, K. Araki・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies, Book of abstracts INOR 1316, 2000.12 D

Design and synthesis of novel fluorescent nitrogen-containing heterocycles:Fluorescence properties of phenazine-N-oxides: T. Mutai, Y. Tagata, K. Araki・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies, Book of abstracts Part. 2 ORGN 1616, 2000.12 D

アゾキシもしくはアゾ基を持つポリピリジン架橋配位子とその金属錯体の合成: 赤坂哲郎, 大和正夫, 吉羽健児, 大月 嬢, 荒木孝二, 滝戸俊夫, 妹尾 学・日本化学会第78春季年会講演予講集, 499, 日本化学会, 2000.3 E

DPPZ架橋部位を持つRu/Os多核錯体中での分子内光誘起エネルギー移動: 崔 昌植, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集. 500, 日本化学会, 2000.3 E

ナトリウム塩/アルキルシリル化グアノシンの超分子結晶の構造: 吉川 功, 高澤亮一, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集II, 1358, 日本化学会, 2000.3 E

アルキルシリル化アデノシン結晶中における水素結合性テープの方向性解析: 高澤亮一, 吉川 功, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集II, 1360, 日本化学会, 2000.3 E

新規蛍光物質としての芳香族-N-オキシドの発光特性: 務台俊樹, 田形純正, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集II, 1390, 日本化学会, 2000.3 E

フェニル置換オリゴピリジルの発光挙動: 務台俊樹, 有田新平, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集II, 1391, 日本化学会, 2000.3 E

ポリピリジンを導入した高反応性アミド基質の設計: 川口聖司, 渡辺 聰, 荒木孝二・日本化学会第78春季年会講演予講集II, 1283, 日本化学会, 2000.3 E

光機能性ポリピリジル化合物の開発: 務台俊樹, 崔 昌植, 荒木孝二・第31回複素環化学討論会講演要旨集, pp.157-158, 2000.9 E

Role of Directionality of Tape Motifs in the Layered Structure of Alkylsilyl ated Adenosine: R. Takasawa, I. Yoshikawa, K. Araki・The 12th Symposium of the Materials Research Society of Japan, Abstracts, p.66, 2000.12 E

Sheet Like Supramolecular Assembly in the Alkylsilylated Nucleoside Organogel System: T. Sato, M. Seko, I. Yoshikwa, Y. Mitsuda, K. Araki・The 12th Symposium of the Materials Research Society of Japan, Abstracts, p.67, 2000.12 E

畑中 研究室 Hatanaka Lab.

生理活性を有する分枝多糖の合成: 畑中研一・生産研究, 52, pp.175-181, 2000.4 A

Synthesis and Ring-Opening Reaction of 1, 6-Anhydro-6-deoxy-6-thio-2, 3, 4-tri-O-benzyl-b-D-glucopyranose: K. Hatanaka, M. Shirasaka, M. Katayose, N. Watanabe, H. Yuasa and H. Hashimoto・Polym. J., 32, pp.297-299, 2000.3 C

Synthesis of Sulfated Colominic Acids and Their Interaction with Fibroblast Growth Factors: M. Kunou, M. Koizumi, K. Shimizu, M. Kawase and K. Hatanaka・Biomacromolecules, 1, pp.451-458, 2000.3 C

Assignment of Finely Resolved 13C NMR Spectra of Poly(Vinyl Acetate): K. Katsuraya, K. Hatanaka, K. Matsuzaki and K. Yamaura・Macromol. Rapid Commun., 21, pp.697-700, 2000.6 C

硫酸化カルボキシメチルデキストランによる線維芽細胞増殖因子(FGF)の活性化: 畑中研一, 久能めぐみ, 清水健吾・日本化学会誌, pp.705-707, 2000.10 C

Synthesis of Mannose Branched Deoxy-Glucan Derivative by Polymerization of Disaccharide Monomer: K. Hatanaka, T. Yamaguchi, K. Okuyama, K. Katsuraya and K. Hashimoto・Polym. J., 32, pp.974-976, 2000.11 C

Azido Glycoside Primer: a Versatile Building Block for the Biocombinatorial Synthesis of Glycosphingolipid Analogues: M. C. Kasuya, L. X. Wang, Y. C. Lee, H. Nakajima, M. Mitsuki, T. Sato, K. Hatanaka, S. Yamagata and T. Yamagata・Carbohydr. Res., 329, pp.755-763, 2000.12 C

Synthesis of Lactoside Derivatives for the Saccharide Elongation by Biosynthetic Pathway: K. Hatanaka, M. Kobayashi, T. Yamagata and T. Sato・20th International Carbohydrate Symposium, p.229, 2000.8 D

Synthesis of Lactoside Derivatives for the Saccharide Elongation by Biosynthetic Pathway: K. Hatanaka, M. Kobayashi, T. Yamagata and T. Sato・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies, 2000.12 D

ガングリオシドを含む多価リガンド分子の構築: 渡邊直子, 河村浩一, 畑中研一・第49回高分子学会年次大会, p.869, 2000.5 E

糖鎖高分子合成を目的とした糖鎖ライブラリーの構築: 小林雅樹, 畑中研一, 佐藤智典, 山形達也・第49回高分子学会年次大会, p.872, 2000.5 E

ウリジンおよびガラクトースを有するポリスチレンと細胞との相互作用: 松永早絵, 久能めぐみ, 畑中研一, 第49回高分子学会年次大会, p.890, 2000.5 E

側鎖に硫酸化糖を有する高分子と細胞増殖因子との相互作用: 栗原史恵, 久能めぐみ, 畑中研一・第49回高分子学会年次大会, p.890, 2000.5 E

ヌクレオシドおよび糖を有する高分子への特異的な細胞接着: 谷地義秀, 畑中研一, 久能めぐみ, 松永早絵・第49回高分子討論会, pp.3906-3907, 2000.9 E

ポリアニオンによる細胞増殖因子の活性化: 奥田章博, 畑中研一, 久能めぐみ, 栗原史恵・第49回高分子討論会, pp.3921-3922, 2000.9 E

重縮合による交互共重合オリゴ糖の合成: 鬘谷 要, 奥山光作, 畑中研一, 井元勇太, 橋本和彦・第49回高分子討論会, pp.4024-4025, 2000.9 E

細胞を利用した糖鎖高分子合成 ―糖鎖プライマーの設計―: 小林雅樹, 畑中研一, 佐藤智典, 山形達也・第49回高分子討論会, pp.4030-4031, 2000.9 E

田中 研究室 Tanaka Lab.

Simple Physical Model of Liquid Water: H. Tanaka・J. Chem. Phys, Vol.112, No.2, pp.799-809, 2000.1 C

Inhomogeneous Flow in a One-Component Polymeric Fluid with a Nonmonotonic Constitutive Law: H. Tanaka・J. Phys. Soc. Jpn, Vol.69, No2., pp.299-302, 2000.2 C 

Thermodynamic Anomaly and Polyamorphism of Water: H. Tanaka・Europhys. Lett. Vol.50, No.3, pp.340-346, 2000.3 C

Surface Effects on Spinodal Decomposition of Incompressible Binary Fluid Mixtures: H. Tanaka and T. Araki・Europhys. Lett, Vol.51,No.2, pp.154-160, 2000.7 C

Simulation Method of Colloidal Suspensions with Hydrodynamic Interactions: Fluid Particle Dynamics: H. Tanaka and T. Araki・Phys. Rev. Lett, Vol.85, No.6, pp.1338-1341, 2000.8 C

Critical Behavior of Layer Compression Modulus near the Smectic-A-Smectic-Cα Transition: S. Shibahara, J. Yamamoto, Y. Takanishi, K. Ishikawa, H. Takezoe and H. Tanaka・Phys. Rev. Lett, Vol.85, No.8, pp.1670-1673, 2000.8 C

General View of a Liquid-Liquid Phase Transition: H. Tanaka・Phys. Rev. E, Vol.62, No.5, pp.6968-6976, 2000.11 C

Viscoelastic Phase Separation: H. Tanaka・J. Phys.: Condens. Matter Vol.12, pp.R207-R264, 2000 C

Layar Compression Modulus of the Antiferroelectric Liquid Crystal MHPBC: S. Shibahara, Y. Takanishi, K. Ishiwaka, H. Takezoe, J. Yamamoto and H. Tanaka・Ferroelectrics, Vol.244, pp.159-165, 2000 C

Transient-gel Formation during Viscoelastic Phase Separation in Polymer Solutions: T. Koyama and H. Tanaka・Bullettin of the American Physical Society 2000 March Meeting, p.442, 2000.3.21 D

3D Numerical Simulation of Viscoelastic Phase Separation: T. Araki and H. Tanaka・Bullettin of the American Physical Society 2000 March Meeting, p.616, 2000.3.22 D

Viscoelastic Phase Separation of Colloidal Suspensions: H. Tanaka and T. Araki・Bullettin of the American Physical Society 2000 March Meeting, p.862, 2000.3.23 D

Numerical Simulation of Pattern Formation in Viscoelastic Phase Separation using a Spring Model: T. Araki and H. Tanaka・Abstracts of“International Symposium on PLATFORM FOR DESIGNING HIGH FUNCTIONAL MATERIALS”, p.33, 2000.6.1 D

Observation of Transient-gel Formation during Viscoelastic Phase Separation in Mixtures of Polystyrene and Diethyl malonate: T. Koyama and H. Tanaka・Abstracts of“International Symposium on PLATFORM FOR DESIGNING HIGH FUNCTIONAL MATERIALS”, p.35, 2000.6.1 D

Viscoelastic Phase Separation in Complex Fluids: H. Tanaka・Abstracts of“International Symposium on PLATFORM FOR DESIGNING HIGH FUNCTIONAL MATERIALS”, p.11, 2000.6.2 D

Viscoelastic Phase Separation in Soft Matter: H. Tanaka・MULTI-SCALES DYNAMICS IN SOFT MATTER AND BIOPHYSICS, 2000.7 D

Critical Dynamics and Phase-Separation Behavior in Aqueous Surfactant Solutions with Smectic Order: H. Tanaka, Y. Fukuda and T. Araki・Abstracts of ILCC 2000, p.185, 2000.7.24 D

Polymerization-Induced Phase Separation of Polymer-Dispersed Liquid Crystal: H. Nakazawa, S. Fujinami, M. Motoyama, T. Ohta, T. Araki and H. Tanaka・Abstracts of ILCC 2000, p.363, 2000.7.25 D

Phase-Coherent Light Scattering Method: S. Takagi and H. Tanaka・Abstracts of ILCC 2000, p.45, 2000.7.25 D

Partitioning of Latex Particles into Cellar Structures Induced by Symmetry-Breaking Structural Transformation in a Membrane System: H. Tanaka, J. Yamamoto and M. Isobe・Abstracts of ILCC 2000, p.53, 2000.7.27 D

A Simple Phenomelogical Model of Shear Banding in a Polymeric Fluid ith a Non-monotonic Constitutive Law: H. Tanaka・XIIIth International Congress on Rheology(Rheology 2000), 2000.8.21 D

Shear Effects on Fluctuation Kinetics and Topological Transition of Fluid Membranes: H. Tanaka, J. Yamamoto and M. Isobe・ XIIIth International Congress on Rheology(Rheology 2000), 2000.8.22 D

New Method of Orientational Relaxation Spectroscopy of Liquid Crystals using Optical Excitation of Molecular Rotation: S. Takagi and H. Tanaka・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies(Pacifichem 2000)No.Phys-1327, 2000.12.14 D

Polymerization-induced Phase Separation of Polymer-dispersed Liquid Crystal: H. Nakazawa, S. Fujinami, M. Motoyama, T. Ohta, T. Araki and H. Tanaka・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies(Pacifichem 2000)No. Phys-317, 2000.12.15 D

Viscoelastic Phase Separation in Complex Fluids: Transient Gel Formation: H. Tanaka・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies(Pacifichem 2000)No. Macr-428, 2000.12.17 D

Numerical Study of Phase Separation under Temperature Gradient: T. Araki and H. Tanaka・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies(Pacifichem 2000)No. Macr-513, 2000.12.17 D

Shear Effects on Temperature Induced Sponge-to-Lamellar Transition in Membrane Systems: M. Isobe and H. Tanaka・2000 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies(Pacifichem 2000)No. Macr-688, 2000.12.18 D

A Simple Phenomenological Model of Shear Banding in A Polymeric Fluid with A Non-Monotonic Constitutive La: H. Tanaka・Proceedings of the XIIIth INTERNATIONAL CONGRESS ON RHEOLOGY, Vol.3, pp.182-184, 2000 D

Shear Effects on Fluctuation Kinetics and Topological Transition of Fluid Membranes: H. Tanaka, J. Yamamoto and M. Isobe・Proceedings of the XIIIth INTERNATIONAL CONGRESS ON RHEOLOGY, Vol.3, pp.291-293, 2000 D

液体の2秩序変数モデルからみたガラス転移: 田中 肇・高分子基礎物性研究会「高分子ガラスと粘弾性」, 2000.3.9 E

液晶等方相の動的光散乱のモード選択測定: 高木晋作, 田中 肇・第55回日本物理学会講演概要集, 2000.3.24 E

粘弾性相分離現象における過渡的ゲル化形成: 小山岳人, 田中 肇・第49回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集,  Vol.49, No.3, p.508, 2000.5.30 E

Brownian dynamicsシミュレーションによる粘弾性相分離現象のパターン形成: 荒木武昭, 田中 肇・第49回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集, Vol.49, No.3, p.509, 2000.5.30 E

レーザトラッピング法による複雑流体の局所力学測定: 岩下靖孝, 田中 肇・第49回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集, Vol.49, No.3, p.575, 2000.5.30 E

相分離ダイナミクスに対する外場効果: 日下雄介, 田中 肇・第49回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集,  Vol.49, No.3, p.578, 2000.5.30 E

二分子膜の温度誘起型トポロジカル相転移に対する流動場効果: 礒部 衛, 田中 肇・第49回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集, Vol.49, No.3, p.579, 2000.5.30 E

位相コヒーレント光散乱法による液晶等方相の偏光解消散乱: 高木晋作, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.279, 2000.9.22 E

Triphenyl phosphiteの過冷却状態に関する研究: 又木裕司, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.285, 2000.9.22 E

高分子溶液の粘弾性相分離現象における構造形成ダイナミクス: 小山岳人, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.294, 2000.9.23 E

高分子溶液の動的臨界現象に対する粘弾性効果: 田久保直子, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.294, 2000.9.23 E

ぬれ層界面の外場誘起不安定性: 日下雄介, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集 , Vol.55, No.2, p.294, 2000.9.23 E

バネモデルを用いた粘弾性相分離のパターン形成の数値シミュレーション: 荒木武昭, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.297, 2000.9.24 E

セッケン二分子膜系に対する外場効果: 礒部 衛, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.302, 2000.9.25 E

コロイド分散系の粘弾性相分離現象: 液体粒子ダイナミクス法: 田中 肇, 荒木武昭・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集, Vol.55, No.2, p.302, 2000.9.25 E

セッケン膜系の局所力学物性測定: 岩下靖孝, 田中 肇・第55回日本物理学会年次大会 日本物理学会講演概要集 , Vol.55, No.2, p.302, 2000.9.25 E

岸本 研究室 Kishimoto Lab.

チタン酸バリウム/安定化ジルコニア複合セラミックスの分極処理による機械強度変化: 瀬尾哲史, 岸本 昭・生産研究, 52, [2], pp.111-114, 2000.2 A

先端無機材料学: 岸本 昭・昭晃堂, 分担, 2000.4 B

In-situ Monitoring of Indentation Fracture in Semiconductive Titania Ceramics: N. Sadotani, S. Hirano and A. Kishimoto・J. Mat. Sci. Lett., 19, [3], pp.221-223, 2000.3, C

Role of the Interface in the Temperature Dependence of the Resistivity of Conductive Composite Thin Films: S. Hirano and A. Kishimoto・Jpn. J. Appl. Phys., 39, 3A, pp.1193-1199, 2000.3 C

Two-step varistor action observed at the homojunction made by the ZnO doped with CoO single・crystals: Y. Nakamura, T. Kitada and A. Kishimoto・Trans. MRS-J, 25, [1], pp.265-268, 2000.4 C

Thermal shock resistance and creep behavior of dispersion strengthened ion conductive zirconia ceramics: Kishimoto, H. Deguchi, K. Kikkawa and Y. Nakamura・Trans. MRS-J, 25, [1], pp.269-272, 2000.4 C

High-voltage screening on unidirectionally surface ground titania ceramics: Kishimoto and T. Tanaka・J. Am. Ceram. Soc., 83, [6], pp.1413-1416, 2000.6 C

Piezoresistive property of pressureless sintered silicon carbide ceramics: G. Toyoguchi, S. Hirano, Y. Nakamura and A. Kishimoto・Trans. MRS-J, 25, [7], pp.645-648, 2000.7 C

High-voltage screening on titania ceramics with differently finished surfaces: T. Tanaka and A. Kishimoto・J. Ceram. Soc. Jpn., 108, [9], pp.795-798, 2000.9 C

Effect of polarization treatment on bending strength of barium titanate/zirconia composite: S. Seo and A. Kishimoto・J. Eur. Ceram. Soc., 20, [14-15], pp.2427-2431, 2000.10 C

EFFECT OF HIGH VOLTAGE SCREENING METHOD ON TITANIA CERAMICS WITH DIFFERENT SURFACE FINISHING: Kishimoto and T. Tanaka・7th Int. Sympo. CERAMIC Materials and Components for ENGINE,Goslar Germany, 2000.6 D

The effect of ambient gases on the carrier transport through the YBa2Cu3O7-d-ZnO heterocontact interface: Y. Nakamura, H. Aoki, A. Kishimoto and H. Yanagida・MASS AND CHARGE TRANSPORT IN INORGANIC MATERIALS, Venice, Italy, C: P04, 2000.6 D

Bilateral improvement of mechanical and electric functions in ceramic materials: Kishimoto・Japan-America Frontiers of Engineering Symposium, Nara, 2000.11 D

Strength control of a ceramic composite by electric field: Kishimoto and S. Seo・SPIE's 2000 Symposium on Smart Materials and MEMS, Melbourne, Australia, [12], 4234-63, 2000.12 D

YBa2Cu3O7-d/ZnOヘテロ接触によるNOガス検知: 青木英剛, 中村吉伸, 岸本 昭・第38回セラミックス基礎科学討論会, 岡山, 2D-04, 2000.1 E

導電性無機粒子−絶縁性有機高分子複合体のPTC効果: 平野晋吾, 岸本 昭・第38回セラミックス基礎科学討論会, 岡山, 2B-01, 2000.1 E

圧電粒子分散複合セラミックスの機械的強度に及ぼす電界の効果: 瀬尾哲史, 岸本 昭・第38回セラミックス基礎科学討論会, 岡山, , 1E-19, 2000.1 E

熱間等方圧焼結による半導性炭化珪素多結晶体の作製とその物性: 岸本 昭, 豊口銀二郎・日本セラミックス協会2000年年会, 仙台, 1A07, 2000.3 E

イオン伝導性ジルコニアセラミックスのクリープ特性に及ぼす電界の効果: 岸本 昭, 出口英寛・日本セラミックス協会2000年年会, 仙台, 2B33, 2000.3 E

TiO2における前駆電流と絶縁破壊現象: 岸本 昭, 新川高見・日本セラミックス協会2000年年会, 仙台, 2E27, 2000.3 E

チタン酸バリウム/安定化ジルコニア複合体の分極処理による機械強度変化: 瀬尾哲史, 岸本 昭・第9回インテリジェント材料シンポジウム, A02, 2000.3 E

炭化珪素セラミックスによる高温歪み検知: 岸本 昭・平成12年度賢材研究会学術交流会, 小田原, 2000.9 E

高電圧スクリーニング法の効果と強度測定法の関係: 岸本 昭, 沼崎勝彦, 中村吉伸・日本セラミックス協会第13回秋季シンポジウム, 北九州, 1D20 2000.11 E

導電率の向上と両立するイオン伝導性ジルコニアの強化法: 岸本 昭・第69回電子セラミック・プロセス研究会, 湘南工科大学・東京キャンパス, 12, 2000.12 E

機械特性と電気特性の相互協調によるセラミックスの特性向上: 岸本 昭・日米フロンティア工学会議, 仙台, [7], 2000 E

鉄筋・鉄骨コンクリートの健全性評価方法の標準化のための調査研究成果報告書: 岸本 昭・平成11年度通商産業省工業技術院委託, 日本建材産業協会, [3], 2000.3 F

The effect of ambient gases on the carrier transport through the YBa2Cu3O7-d/ZnO heterocontact interface: Y. Nakamura, H. Aoki, A. Kishimoto and H. Yanagida・MASS AND CHARGE TRANSPORT IN INORGANIC MATERIALS,Ed. By P. Vincenzini and V. Buscaglia,pp.1463-1470, 2000.10 G

インテリジェントセラミックス −歪み検知と強度制御−: 岸本 昭・インテリジェント材料, インテリジェント材料フォーラム, 10, [1], pp.5-10, 2000.10 G

昇温速度に感応して自己制御するインテリジェントヒーター: 岸本 昭・双葉電子記念財団年報2000, 6, pp.46-48, 2000.12 G

溝部 研究室 Mizobe Lab.

Rational Synthesis and Reactivities of Cubane-Type Sulfido Clusters Containing Noble Metals: M. Hidai, S. Kuwata and Y. Mizobe・Acc. Chem. Res., 33, pp.46-52, 2000 C

A High Spin Mn9W6 Cluster(S = 39/2)with a Full-Capped Cubane Structure: Z.J. Zhong, H. Seino, Y. Mizobe, M. Hidai, A. Fujishima, S. Ohkoshi and K. Hashimoto・J. Am. Chem. Soc., 122, pp.2952-2953, 2000 C

Preparation of Sulfide-Bridged Di- or Trinuclear Pyrrolylimido and Diazoalkane Complexes Derived from a Tungsten Dinitrogen Complex: H. Seino, Y. Mizobe and M. Hidai・Bull. Chem. Soc. Jpn., 73, pp.631-639, 2000 C

Syntheses of Dinuclear Ir Complex Containing Bridging Tetraselenide Ligands [(C5Me5)Ir(μ-Se42 Ir(C5Me5)] and its Conversion into Ir2Pd2Se3 and Ir2Pd3Se5 Clusters: S. Nagao, H. Seino, Y. Mizobe and M. Hidai・Chem. Commun., pp.207-208, 2000 C

Protonation and Methylation of Zero-Valent Molybdenum Complexes of the Types trans-[Mo(CNR)(L)(Ph2PCH2CH2PPh22](R = Ph or Bun; L = N2, CO, or Nitrile)and trans-[Mo(CO)(L')(Ph2PCH2CH2PPh22](L' = N2 or Nitrile)to Give a New Series of Carbyne or Hydrido Complexes: H. Seino, D. Nonokawa, G. Nakamura, Y. Mizobe and M. Hidai・Organometallics, 19, pp.2002-2011, 2000 C

Preparation of Dinuclear Rhodium and Iridium Complexes with Two Bridging Hydroselenido Ligands and Their Conversion into Tri- and Tetranuclear Selenido Clusters: H. Seino, Y. Mizobe and M. Hidai・Organometallics, 19, pp.3631-3639, 2000 C

Syntheses of Diiridium Complexes with Two Bridging Tetrachalcogenide Ligands [{(η5-C5Me5)Ir}2(μ-E42 ](E = Se or S)and Their Reactions with Alkynes Forming Mono- or Dinuclear Dichalcogenolene Complexes: S. Nagao, H. Seino, T. Okada, Y. Mizobe and M. Hidai・J. Chem. Soc., Dalton Trans., pp.3546-3553, 2000 C

Preparation of Hydrosulfido- and Hydroselenido-Bridged Diruthenium Complexes with π-Arene Coligand and Their Dimerization Reactions to Give New Cubane-Type Ru Sulfido and Selenido Clusters: H. Seino, Y. Mizobe and M. Hidai・New J. Chem., 24, pp.907-911, 2000 C

The Cubane-Type Mo2Ir2S4 Cluster Containing an Organohydrazido(2-)Ligand on the Mo Site: T. Masumori, H. Seino, Y. Mizobe and M. Hidai・Inorg. Chem., 39, pp.5002-5003, 2000 C

Crystal Structure and Magnetic Properties of an Octacyanometalate-Based Three-Dimensional Tungstate(V)-Manganese(II)Bimetallic Assembly: Z. J. Zhong, H. Seino, Y. Mizobe, M. Hidai, M. Verdaguer, S. Ohkoshi and K. Hashimoto・Inorg. Chem., 39, pp.5095-5101, 2000 C

Chemical Nitrogen Fixation by Using Molybdenum and Tungsten Complexes: M. Hidai and Y. Mizobe・19th International Conference on Organometallic Chemistry, China, 2000.7 D

Syntheses of Cubane-Type Bi- and Polymetallic Sulfido Clusters Containing Rhenium: Y. Mizobe・Pacifichem 2000, USA, INOR 266, 2000.12 D

Formation of Mono- and Dinuclear Dichalcogenolene Complexes of Ir from Tetrachalcogenido Bridged Diiridium Complexes and Alkynes: Y. Mizobe, S. Nagao, H. Seino, T. Okada and M. Hidai・Pacifichem 2000, USA, INOR 989, 2000.12 D

Preparation of Hydroselenido-Bridged Dirhodium and Diiridium Complexes and Related Selenido Bridged Tri- and Tetranuclear Clusters: H. Seino, S. Nagao, Y. Mizobe and M. Hidai・Pacifichem 2000, USA, INOR 860, 2000.12 D

Synthesis, Reactions and Catalytic Activity of Ir2M(M = Ru, Pd)Heterobimetallic Sulfido Clusters: Y. Ishii, D. Masui, Y. Mizobe, M. Hidai and T. Kochi・Pacifichem 2000, USA, INOR 986, 2000.12 D

二核イリジウム錯体上の架橋ヒドロスルフィド配位子への共役付加反応: 高城総夫, 清野秀岳, 溝部裕司, 干鯛眞信・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

Re2S4コアを有する錯体を用いたスルフィド架橋混合金属クラスターの合成: 金子哲英, 清野秀岳, 溝部裕司, 干鯛眞信・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

テトラホスフィンを配位子とするMo(0)錯体の反応性: 有田千里馬, 清野秀岳, 溝部裕司, 干鯛眞信・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

オクタシアノ系MnIIWV三次元集合体の構造と磁性: 荘 金鐘, 清野秀岳, 溝部裕司, 干鯛眞信, 大越慎一, 橋本和仁・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

ボウタイ型金属スルフィドクラスターの電気化学的挙動と二酸化炭素電解還元に対する触媒効果: 手塚 還, 岩崎政和, 木内智和, 五十嵐理人, 溝部裕司, 唐 振, 石井洋一, 干鯛眞信・第24回エレクトロオーガニックケミストリー討論会, 2000.6 E

ヒドリド配位子を有する硫黄架橋6族−9族混合金属二核錯体の合成: 加藤紘子, 清野秀岳, 溝部裕司, 干鯛眞信・第50回錯体化学討論会, 2000.9 E

遷移金属−カルコゲニドクラスターの合成と利用: 溝部裕司・第86回触媒討論会, 2000.9 E

トリス(ピラゾリル)ボレート補助配位子を有する単核モリブデンおよびタングステンスルフィド錯体の合成と多核スルフィド錯体への変換: 清野秀岳, 荒井 靖, 岩田尚久, 溝部裕司, 干鯛眞信・第47回有機金属化学討論会, 2000.10 E

迫田 研究室 Sakoda Lab.

培養細胞を用いる簡便・迅速なバイオアッセイに関する研究の現状と課題: 庄司 良, 酒井康行, 迫田章義, 鈴木基之・生産研究, 52(2), pp.89-95, 2000.2 A

湖沼生態系数理モデルの現状と今後の課題: 下ヶ橋雅樹, 迫田章義, 鈴木基之・生産研究, 52(2), pp.96-103, 2000.2 A

ゼロエミッション−サステナブルコミュニティーの生産プロセス: 迫田章義, 鈴木基之・生産研究, 52(3), pp.132-135, 2000. 3 A

Preservation of microplate-attached human hepatoma cells and their use in cytotoxicity tests: R. Shoji, Y. Sakai, A. Sakoda and M. Suzuki・Cytotechnol., 32, pp.147-155, 2000.1 C

ゼロエミッションをめざした物質循環プロセスの構築: 迫田章義, 羽野 忠, 吉田弘之, 藤江幸一, 鈴木基之・用水と廃水, 42(4), pp.333-339, 2000. 4 C

Modelling the structural dynamics of a shallow and eutrophic water ecosystem based on mesocosm observations: M. Suzuki, M. Sagehashi and A. Sakoda・Ecological Modelling, 128, pp.221-243, 2000. 5 C

Measurement of the hydrothermal reaction rate of cellulose using novel liquid-phase thermogravimetry: K. Mochidzuki, A. Sakoda and M. Suzuki・Thermochimica Acta, 348, pp.69-76, 2000. 5 C

バイオアッセイで評価した化学物質及び環境水の複合的な毒性の定量的記述: 庄司 良, 迫田章義, 酒井康行, 内海英雄, 鈴木基之・水環境学会誌, 23(8), pp.487-494, 2000. 8 C

Decomposition of Cellulose by Continuous Near-critical Water Reactions: Lu, Xiuyang, A. Sakoda and M. Suzuki・Chinese Journal of Chemical Engineering, 8(4): pp.321-325, 2000.8 C

Development of a rapid and sensitive bioassay device using human cells immobilized inmacroporous microcarriers for the on-site evaluation of environmental waters: R. Shoji, Y. Sakai, A. Sakoda and M. Suzuki・Applied Microbiology and Biotechnology, 54, pp.432-438, 2000. 9 C

Rapid and sensitive neurotoxicity test based on the morphological changes of PC12 cells with simple computer-assisted image analysis: Y. Sakai, R. Shoji, Y. Mishima A. Sakoda and M. Suzuki・J. Biosci. Bioneg., 90(1), pp.20-24, 2000. 9 C

ダム湖における湖水流動を考慮した藻類増殖数理モデルの作成と藻類大量発生抑制への応用: 下ヶ橋雅樹, 迫田章義, 谷口伸行, 鈴木基之・水環境学会誌, 23(11), pp.697-702, 2000.11 C

A new assay for hepatotoxicity using LDL-uptaking activity of liver cells: R. Shoji, A. Sakoda, Y. Sakai, H. Utsumi and M. Suzuki・Journal of Health Science, 46(6), pp.493-502, 2000.12 C

Modelling a global biogeochemical nitrogen cycle interrestrial ecosystems: B.-L. Lin, A. Sakoda, R. Shibasaki, N. Goto and M. Suzuki・Ecological Modelling, 135, pp.89-110, 2000.12 C

Formulating bioassay data of chemicals and enviromental water: R. Shoji, A. Sakoda, Y. Sakai, H. Utsumi and M. Suzuki・Water Science and Technology, 42(3-4), pp.115-124, 2000.12 C

A predictive model of long-term stability after biomanipulation of shallow lakes: M. Sagehashi, A. Sakoda and M. Suzuki・Water Research, 34(16), pp.4014-4028, 2000. 12 C

Human-cell-based bioassay for the environmental risk management: Y. Sakai, R. Shoji, B.-S. Kim, A. Sakoda and M. Suzuki・Gatarama Workshop, A-12, Osaka, 2000.4 D

Model response to anthropogenic fertilization: A modelling approach to global nitrate leaching: B.-L. Lin, A. Sakoda, R. Shibasaki and M. Suzuki・1st World Water Congress of the International Water Association(IWA), NP118, 2000.7 D

Biodegradation and Utilization of Lignocellulosic Waste by Mushroom Cultivation: Wang, Dianxia, Akiyoshi Sakoda and Motoyuki Suzuki・The First Joint China/Japan Chemical Engineering Symposium, Beijing, China, 2000.9 D

Advanced utilization of agricultural wastes by steam-explosion and continuous hot compressed liquid water treatment: 望月和博, 呂 秀陽, 高山 卓, 迫田章義, 鈴木基之・1st Joint China-Japan Chemical Engineering Symposium, Beijin, China, 2000.9 D

Development of simple methods for cultured mammalian-cell-based bioassays and their use in environmental risk management: Y. Sakai, R. Shoji, B.-S. Kim, A. Sakoda and M. Suzuki・YABEC 2000 Symposium, Fukuoka, Japan, PB-19, 2000.11 D

Cultured human-cell-based bioassay for the environmental risk management: M. Suzuki, Y. Sakai, R. Shoji and A. Sakoda・The 3rd International Symposium on Advanced Environmental Monitoring, Chedju, Korea, 2000.11 D

Liquid-phase thermogravimetric measurement of reaction kinetics of waste plant biomass under hydrothermal conditions: 望月和博, 迫田章義, 鈴木基之・AIChE 2000 Annual Meeting, Los Angels, USA, 51g, 2000.11 D

Control of Bacterial Attachment on Carbon Whisker Membrane: Bae Sang Dae, Li Yuan Yao, T. Noura, A. Sakoda. M. Suzuki・AIChE 2000 Annual Meeting, Los Angels, USA, 145j, 2000.11 D

Solid-State Fermentation of Brewery Spent Grain with White-rot Fungus Pleurotus Ostreatus: Wang, Dianxia, A. Sakoda and M. Suzuki・The 16th International Conference on Solid Waste Technology and Management, Philadelphia, PA, USA, A26,  2000.12 D

細胞毒性試験による酸化・吸着処理における毒性削減評価: 鈴木基之, 金 範洙, 酒井康行, 迫田章義・第34回日本水環境学会年会, 京都, 1-H-15-2, 2000.3 E

ヒト細胞を用いる環境水の簡便・迅速毒性評価チップの開発: 庄司 良, 酒井康行, 迫田章義, 鈴木基之・第34回日本水環境学会年会, 京都, 1-H-9-3, 2000.3 E

地球規模物質循環モデルによる窒素施肥の水環境への影響評価: 林 彬勒, 迫田章義, 柴崎亮介, 鈴木基之・第34回日本水環境学会年会, 京都, 2-C-10-1, 2000.3 E

多孔質マイクロキャリアー高密度充填型動物細胞による簡便毒性評価チップの開発: 庄司 良, 酒井康行, 迫田章義, 鈴木基之・化学工学会第65回年会, 東京, J202, 2000.3 E

新しい毒性評価システムとしての動物細胞複合灌流培養の開発: 鈴木基之, 大磯輝将, 酒井康行, 迫田章義・化学工学会第65回年会, 東京, J203, 2000.3 E

肺気道細胞の気相液相培養を利用した気体のバイオアッセイ手法の確立: 鈴木基之, 富田賢吾, 酒井康行, 迫田章義・化学工学会第65回年会, 東京, J204, 2000.3 E

簡便な小腸上皮・肝細胞複合培養系の確立と毒性試験系としての評価: 鈴木基之, 横川 彩, 酒井康行, 迫田章義・化学工学会第65回年会, 東京, 2000.3 E

シリカ系吸着剤における水中溶存オゾンの吸脱着特性: 鈴木基之, 藤田洋崇, 泉  順, 藤井隆夫, 迫田章義・第14回日本吸着学会研究発表会, A31, 2000.9 E

カーボンウィスカー膜の生成とその応用: 鈴木基之, Sang-Dae Bae, Yuan-Yao Li, 野村剛志, 迫田章義・第14回日本吸着学会研究発表会, P14, 2000.9 E

肺気道細胞の気液界面培養を用いた気体毒性評価システムの開発: 鈴木基之, 富田賢吾, 酒井康行, 迫田章義・大気環境学会第41回年会, 1F1045, 2000.9 E

蒸煮爆砕・高温高圧水処理による籾殻の総合的有価物化: 鈴木基之, 高山 卓, 望月和博, 迫田章義・化学工学会第33回秋季大会, U126, 2000.9 E

高温高圧水中における植物バイオマスの分解挙動の熱重量測定: 望月和博, 迫田章義, 鈴木基之・化学工学会第33回秋季大会, 静岡, U127, 2000.9 E

白色腐朽菌(ヒラタケ)の利用によるビール粕の総合的資源化: 鈴木基之, 井原之偉, 王 殿霞, 藤井隆夫, 迫田章義・化学工学会第33回秋季大会, 静岡, U316, 2000.9 E

New devices using cultured human cells for the evaluation of risks to humans: Y. Sakai, O. Fukuda, K. Tomita, A. Sakoda and M. Suzuki・化学工学会第33回秋季大会, 静岡, Z123, 2000.9 E

肺気道細胞の気液界面培養を利用した気体のバイオアッセイ手法の確立: 鈴木基之, 富田賢吾, 酒井康行, 迫田章義・第6回バイオアッセイ研究会・日本環境毒性学会合同研究発表会, 寝屋川, 2000.9 E

埋立地浸出水の酸化・吸着処理における毒性変動の解析: 鈴木基之, 金 範洙, 藤井隆夫, 酒井康行, 迫田章義・第6回バイオアッセイ研究会・日本環境毒性学会合同研究発表会, 寝屋川, 2000.9 E

小腸上皮・肝細胞複合培養系でのBenzo[a]pyreneの吸収・代謝・毒性発現の評価: 鈴木基之, 福田 理, 酒井康行, 迫田章義・日本動物実験代替法学会, P-21市川, 2000.11 E

モルト粕の資源化処理システムの検討: 迫田章義, 藤井隆夫, 王 殿霞, 井原之偉, 鈴木基之・第11回廃棄物学会研究発表会, B4-10, 2000.11 E

工藤(一)研究室 Kudo K. Lab

Unexpected formation of novel [4.3.3]propellane-type trilactone by dehydration of aliphatic tetracarboxylic acid: J. Kato, K. Kudo, S. Shiraishi・CHEM. LETT. pp.328-329, 2000.4 C

酸増殖反応とその応用: 工藤一秋・化学と教育, 48, pp.448-450, 2000.7  C

A study on the effect of spirocyclic structures in the main chain on the physical properties of copolyimides: J. Li, K. Kudo, S. Shiraishi・MACROMOL. RAPID COMMUN., 21, pp.1166-1170, 2000.11 C

Synthesis and properties of novel soluble polyimides having an unsymmetric spiro tricyclic dianhydride unit: J. Li, J. Kato, K. Kudo, S. Shiraishi・MACROMOL. CHEM. PHYS., 201, pp.2289-2297, 2000.12 C

The Effect of Unsymmetric Spirocyclic Structure in the Main Chain on the Physical Properties of Alicyclic Polyimides: J. Li, K. Kudo, S. Shiraishi・POLYCONDENSATION 2000, Tokyo, Japan, 2000.9 D

非環状テトラカルボン酸の脱水による新規プロペラン型トリラクトン(オルトエステル)の生成: 加藤 順, 工藤一秋, 白石振作・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

脂環式二酸無水物から合成したポリイミドの一次構造と物性の相関: 李  軍, 工藤一秋, 白石振作・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

2−アルキルアミノ−2'―ヒドロキシ−1, 1'―ビナフチルを不斉補助基としたアリール酢酸の不斉アルキル化反応: 川村真人, 倉橋賢史, 工藤一秋, 白石振作・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

アゾベンゼン部位を有する新規な光学活性ホスフィン配位子の合成とそれを用いたPd触媒不斉アリル化反応: 川村真人, 工藤一秋, 白石振作・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

4種の配位元素を有する新規配位子の合成と触媒反応への応用: 横田英之, 工藤一秋, 白石振作・日本化学会第78春季年会, 2000.3 E

N−置換ピロ−ル類のクロスカップリング反応によるN, N'−二置換−2, 2'−ビピロ−ル類の簡便な合成及びその応用: 高山俊雄, 白石振作, 工藤一秋・第31回複素環化学討論会, 2000.10 E

横井 研究室 Yokoi Lab.

 (東京大学国際・産学共同研究センターの項参照)

岡野 研究室 Okano Lab.

Study of the adsorption structure of NO on Pt(111)by STM and HREELS: M. Matsumoto, K. Fukutani, T. Okano, K. Miyake, H. Shigekawa, H. Kato, H. Okuyama and M. Kawai・Surf. Sci. 454-456, p.101, 2000 C

Observation of nuclear excitation by electron transition in 197Au with synchrotron X rays and an avalanche photodiode: S. Kishimoto, Y. Yoda, M. Seto, Y. Kobayashi, S. Kitao, R. Haruki, T. Kawauchi, K. Fukutani, T. Okano・Phys. Rev. Lett. 85, 1831, 2000 C

Ortho-Para Conversion of H2 Interacting with Solid Surfaces -The Effect of Molecular Orientation-: R. Muhida, W. A. Dino, A. Fukui, H. Nakanishi, A. Okiji, K. Fukutani, T. Okano・International Symposium on Surface and Interface, Nagoya, 2000.10 D

Adsorption and photoexcitation of NO on Ag/Pt(111): T. Itoyama, M. Wilde, M. Matsumoto, T. Okano, K. Fukutani・International Symposium on Surface and Interface, Nagoya, 2000.10 D

Measurement of internal conversion electron emission and its application to surface science: T. Okano, T. Kawauchi, K. Fukutani, Y. Yoda, X. -W. Zhang, S. Kikuta・SSP2000, Furano, 2000.1 D

オルソ・パラ転換の分子軸配向依存性: Rifki Muhida, Wilson A. Dino, 福井 篤, 笠井秀明, 興地斐男, 福谷克之, 岡野達雄・日本物理学会 第55回年会 新潟, 2000.9 E

Pt(111)表面上のNO分子吸着構造の研究: 松本益明, 福谷克之, 岡野達雄, 奥山 弘, 加藤浩之, 川合真紀, 三宅晃司, 重川秀実, 常行真司・日本物理学会 春の分科会, 関西大, 2000.3 E

Pt(111)表面におけるNOの熱脱離: 松本益明, Wilde Markus, 奥山 弘, 加藤浩之, 川合真紀, 福谷克之, 岡野達雄・日本物理学会 第55回年会, 新潟大, 2000.9 E

真空工学の基礎(1): 岡野達雄・真空夏期大学大学テキスト, pp.1-45, 日本真空協会, 2000.8 F

福谷 研究室 Fukutani Lab.

Characterization of proton-irradiated InGaAs/GaAs multiple quantum well structures by nonresonant transient four-wave mixing technique: K. Jarasiunas, V. Mizeikis, S. Iwamoto, M. Nishioka, T. Someya, K. Fukutani, Y. Arakawa T. Shimura and K. Kuroda・Jpn. J. Appl. Phys. part1, Vol.39, No.10, pp.5781-5787, 2000.10 C

Study of the adsorption structure of NO on Pt(111)by STM and HREELS: M. Matsumoto, K. Fukutani, T. Okano, K. Miyake, H. Shigekawa, H. Kato, H. Okuyama and M. Kawai・Surf. Sci. 454-456, p.101, 2000 C

Electronic Structure of a Pt-Ge Surface Alloy: K. Fukutani, Y. Murata, J. Brillo, H. Kuhlenbek, H.-J. Freund and M. Taguchi・Surf. Sci. 464, p.48, 2000 C

Observation of nuclear excitation by electron transition in 197Au with synch rotron X rays and an avalanche photodiode: S. Kishimoto, Y. Yoda, M. Seto, Y. Kobayashi, S. Kitao, R. Haruki, T. Kawauchi, K. Fukutani, T. Okano・Phys. Rev. Lett. 85, 1831, 2000 C

Depth-resolved study of Hydrogen absorption by pd(100)Using Resonant Nuclear Reaction Detection: M. Wilde, M. Matsumoto, K. Fukutani, T. Aruga・Symposium on Surface Physics 2000, Furano, Japan, 2000.1.8 D

Photorefractive multiple quantum well devices at 1064 nm: S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, K. Fukutani, T. Shimura and K. Kuroda・Conference on Lasers and Electrooptics, pp.106-107, 2000.5 D

Excitonic resonant photorefractive devices around 1.06 μm: T. Shimura, S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, K. Fukutani and K. Kuroda・International Conference on Electric Materials and Europian Materials Research Society Spring Meeting, J-18, 2000.6 D

A Depth-resolved Study of Subsurface Hydrogen in Pd(100)Using Resonant Nuclear Reaction Analysis: M. Wilde, M. Matsumoto, K. Fukutani and T. Aruga・The 19th European Conference on Solid Surfaces, Madrid, Spain, 2000.9 D

NRA studies of H at surfaces and interfaces: K. Fukutani・TMR-workshop/Summer school, Bad Zwischenahn, Germany, 2000.9.29 D

Ortho-Para Conversion of H2 Interacting with Solid Surfaces -The Effect of Molecular Orientation-: Rifki Muhida, Wilson Agerico Dino, Atsushi Fukui, Hideaki Kasai, Hiroshi Nakanishi, Ayao Okiji, Katsuyuki Fukutani and Tatsuo Okano・International Symposium on Surface and Interface, Nagoya, 2000.10 D

Adsorption and photoexcitation of NO on Ag/Pt(111): T. Itoyama, M. Wilde, M. Matsumoto, T. Okano and K. Fukutani・International Symposium on Surface and Interface, Nagoya, 2000.10 D

Depth-Resolved Determination of the Hydrogen Concentration at Buried SiO2/Si(100)Interfaces by Resonant Nuclear Reaction Analysis: M. Wilde, M. Matsumoto, K. Fukutani, Z. Liu, Y. Kawashima・The 47th American Vacuum Society meeting, Boston, USA, 2000.10 D

Pt(111)表面上のNO分子吸着構造の研究: 松本益明, 福谷克之, 岡野達雄, 奥山 弘, 加藤浩之, 川合真紀, 三宅晃司, 重川秀実, 常行真司・日本物理学会春の分科会, 関西大, 2000.3 E

Tiイオン打ち込みによるフォトリフラクティブ量子井戸の作製: 岩本 敏, 縣島英生, 武富紗代子, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.985, 応用物理学会, 2000.3 E

波長1.06シmに感度を有するフォトリフラクティブ多重量子井戸素子: 武富紗代子, 岩本 敏, 縣島英生, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.1193, 応用物理学会, 2000.3 E

オルソ・パラ転換の分子軸配向依存性: Rifki Muhida, Wilson A. Dino, 福井 篤, 笠井秀明, 興地斐男, 福谷克之, 岡野達雄・日本物理学会. 第55回年会, 新潟, 2000.9 E

Pt(111)表面におけるNOの熱脱離: 松本益明, Wilde Markus, 奥山 弘, 加藤浩之, 川合真紀, 福谷克之, 岡野達雄・日本物理学会 第55回年会, 新潟大, 2000.9 E

フォトリフラクティブ多重量子井戸素子を用いた二光波混合振動計測: 武富紗代子, 岩本 敏, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会, p.874, 応用物理学会, 2000.9 E

高木 研究室 Takagi Lab.

エバネセント光散乱法−界面近傍ナノダイナミクスの研究−: 細田真妃子, 酒井啓司, 高木堅志郎・生産研究52巻11号, p.14, 2000.11 A

Dependence of Transport Mean Free Path on Size of Scatterer: S. Mitani, K. Sakai and K. Takagi・Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, Vol.39, No.1, pp.146-149, 2000.1 C

Observation of Slow Dynamics on a Liquid Surface by Time-Resolved Ripplon Light-Scattering Spectroscopy: D. Mizuno, K. Hattori, N. Sakamoto, K. Sakai and K. Takagi・Langmuir, Vol.16, No.2, pp.643 -648, 2000.1 C

Layering transition at the free surface of 12CB observed by scanning angle reflectometry: N. Sakamoto, K. Sakai and K. Takagi・J. Chem. Phys., Vol.112, No.2, pp.946-953, 2000.1 C

Nonlinear piezoelectricity in PZT ceramics for generating ultrasonic phase conjugate waves: K. Yamamoto, A. Kokubo, K. Sakai and K. Takagi・Ultrasonics, Vol.38, No.1-8, pp.830-833, 2000.3 C

Frequency Domain Measurement for Relaxation Study on Optical Kerr Effect: Y. Oki, N. Sakamoto, K. Sakai and K. Takagi・Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Vol.39 No.6B, pp.L607-L610, 2000.6  C

流動場下における液体表面形成過程の研究を目的としたリプロンのドップラー計測: 細田真妃子, 酒井啓司, 高木堅志郎・第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000.9 E

光による液体表面形状制御を用いた低表面張力測定: 美谷周二朗, 酒井啓司, 高木堅志郎・第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000.9 E

音響位相共役波発生への道: 小久保旭・技術官等による技術報告集第9巻, p.1, 2000.9 E

コヒーレント後方散乱法による微粒子分散系の構造観察: 美谷周二朗, 酒井啓司, 高木堅志郎・第6回材料界面マイクロ工学研究会講演要旨集, pp.29-44, 2000.10 E

リラクサ-PbTiO3及びリラクサ-PZT系圧電セラミクスの非線形圧電性の評価: 山本 健, 小久保旭, 酒井啓司, 高木堅志郎・第21回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演予稿集, 2000.11 E

リプロンドップラー流速計: 細田真妃子, 酒井啓司, 高木堅志郎・第21回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演予稿集, 2000.11 E

液面光制御による界面張力測定法: 美谷周二朗, 酒井啓司, 高木堅志郎・第45回音波の物性と化学討論会講演論文集, p.28, 2000.11 E

リプロンドップラー流速計による液体表面のダイナミクス計測: 細田真妃子, 酒井啓司, 高木堅志郎・第45回音波の物性と化学討論会講演論文集, p.34, 2000.11 E

ブリュースター角入射リプロン光散乱法: 坂本直人, 酒井啓司, 高木堅志郎・第45回音波の物性と化学討論会講演論文集, p.81, 2000.11 E

レーザー誘起分子配向制御による光カー定数の定量測定: 池田康宏, 酒井啓司, 高木堅志郎・第45回音波の物性と化学討論会講演論文集, p.87, 2000.11 E

光誘起表面波スペクトロスコピー: 立花啓悟, 酒井啓司, 高木堅志郎・第45回音波の物性と化学討論会講演論文集, p.90, 2000.11 E

七尾 研究室 Nanao Lab.

Magnetic circular dichroism of the x-ray-emission spectra for the 2p→1s decay in Co metal: T. Nakamura, H. Shoji, S. Nanao, T. Iwazumi, S. Kishimoto, R. Katano and U. Isozumi・Phys. Rev. B 62, 5301-5304, 2000 C

Magnetic Circular Dichroism of Gd 3d-2p and 4d-2p X-ray Emission in Ferrimagnetic Gd-Co Amorphous: T. Iwazumi, T. Nakamura, H. Shoji, K. Kobayashi, S. Kishimoto, R. Katano, Y. Isozumi and S. Nanao, J. ・Phys. Chem. Sol. 61, 453-456, 2000 C

X-ray magnetic circular dichroism in quasicrystals: Y. Watanabe, H. Shoji, T. Nakamura and S. Nanao・Materials Science & Engineering A, 294-296, 617-620, 2000 C

磁気EXAFS: 七尾 進, 中村哲也・日本放射光学会誌, Vol.13, No.1, 33, 2000 C

X-ray Magnetic Compton Scattering of DyCo5: H. Miyagawa, Y. Watanabe, S. Nanao, N. Hiraoka, A. Koizumi, N. Sakai, M. Mizumaki and Y. Sakurai・2000 MRS Fall Meeting Program p.185, 2000.11 D

V酸化物のX線共鳴非弾性散乱: 小路博信, 岩住俊明, 水牧仁一朗, 吉井賢資, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人, 七尾 進・日本物理学会(2000年春の分科会)講演概要集第4分冊, p.620, 2000.3 E

準結晶のX線発光分光測定: 渡辺康裕, 中村哲也, 小路博信, 橋本 悟, 岩住俊明, 水牧仁一朗, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人, 七尾 進・日本物理学会春の分科会講演概要集第4分冊, p.692, 2000.3 E

準結晶のトンネル分光(BREAK JUNCTION 法): 田村純平, 浴野稔一, 橋本 悟, 渡辺康裕, 藤井博信, 七尾 進・日本物理学会春の分科会講演概要集第4分冊, p.692, 2000.3 E

DyCo5のX線磁気コンプトン散乱: 宮川勇人, 渡辺康裕, 平岡 望, 小泉昭久, 坂井信彦, 水牧仁一朗, 桜井吉晴, 中村哲也, 七尾 進・日本物理学会講演概要集第3分冊, p.325, 2000.3 E

Si単結晶のX線共鳴非弾性散乱:偏光相関・方位角依存性: 岩住俊明, 小路博信, 中村哲也, 七尾 進, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人・日本物理学会(2000年春の分科会)講演概要集第4分冊, p.620, 2000.3 E

SmLα1, 2の発光MCD: 中村哲也, 岩住俊明, 小路博信, 渡辺康裕, 水牧仁一朗, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人, 七尾 進・日本物理学会(2000年春の分科会)講演概要集第4分冊, p.617, 2000.3 E

Ce(Fe1-x, Cox)2の磁気的性質: 水牧仁一朗, 東風風敏夫, 池田 直, 吉井賢資, 宮川勇人, 七尾 進・日本物理学会(2000年春の分科会)講演概要集第3分冊, p.398, 2000.3 E

Al-Cu-Ru準結晶のX線構造解析: 渡辺康裕, 田村純平, 宮川勇人, 七尾 進・日本物理学会講演概要集(第55回年次大会), 第4分冊 654, 2000.9 E

Break Junctionを用いた準結晶のトンネル分光: 田村純平, 浴野稔一, 橋本 悟, 横山嘉彦, 渡辺康裕, 藤井博信, 七尾 進・日本物理学会講演概要集(第55回年次大会), 第4分冊 663, 2000.9 E

X線磁気回折によるhcp-Dyの磁気形状因子測定: 伊藤正久, 山内邦彦, 西堀英治, 加藤健一, 高田昌樹, 坂田 誠, 中田 存, 宮川勇人, 渡辺康裕, 七尾 進, 桜井 浩, 伊藤文武, 上村重明, 北本直也, 圓山 裕, 安達弘通, 岸本俊二, 河田 洋・日本物理学会講演概要集(第55回年次大会), 344, 2000.9 E

SmLII, LIII吸収端における2p4f四重極遷移の発光MCD: 中村哲也, 岩住俊明, 小路博信, 渡辺康裕, 水牧仁一朗, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人, 七尾 進・日本物理学会(第55回年次大会)講演概要集第4分冊, p.604, 2000.9 E

垂直配置X線発光磁気円二色性スペクトルの測定: 岩住俊明, 小路博信, 宮川勇人, 中村哲也, 七尾 進, 片野林太郎, 五十棲泰人・日本物理学会講演概要集(第55回年次大会)612, 2000.9 E

CeFe2の磁気EXAFSによる磁気構造の決定: 水牧仁一朗, 東風谷敏男, 中村哲也, 吉井賢資, 宮川勇人, 河村直巳, 鈴木基寛, 七尾 進・日本物理学会講演概要集(第55回年次大会), 409, 2000.9 E

Al-Cu-Ru準結晶と近似結晶の構造: 渡辺康裕, 田村純平, 宮川勇人, 七尾 進・日本金属学会講演概要集(秋季大会), 135, 2000.10 E

d-AlNiCoの高分解能コンプトン散乱プロファイル: 田村純平, 渡辺康裕, 七尾 進, 横山嘉彦, 平岡 望, 桜井吉晴, 伊藤真義・日本金属学会講演概要集(秋季大会), 136, 2000.10 E

V酸化物のX線発光分光: 小路博信, 岩住俊明, 岸本俊二, 片野林太郎, 五十棲泰人, 七尾 進・日本金属学会講演概要集(秋季大会), 265, 2000.10 E

DyCo5における磁気モーメントのスピン成分と軌道成分の分離: 宮川勇人, 渡辺康裕, 平岡 望, 小泉昭久, 坂井信彦, 水牧仁一朗, 桜井吉晴, 中村哲也, 七尾 進・日本金属学会講演概要集p.167, 2000.10 E

垂直配置X線発光磁気円二色性スペクトルの測定: 岩住俊明, 小路博信, 宮川勇人, 中村哲也, 七尾 進, 片野林太郎, 五十棲泰人・日本物理学会講演概要集第4分冊 p.612, 2000.9 E

鈴木(敬)研究室 Suzuki T. Lab.

Thermal expansion of icosahedral Al-Pd-Mn and decagonal Al-Cu-Co quasicrystals: K. Kajiyama, K. Edagawa, T. Suzuki and S. Takeuchi・Phil. Mag. Lett., Vol.80 No.1 pp.49-56, 2000.1 C

Core structure of a screw dislocation in a diamond lattice: H. Koizumi, Y. Kamimura and T. Suzuki・Phil. Mag. A, Vol.80, No.3, pp.609-620, 2000.5. C

Fracture of snow in tension: H.O.K. Kirchner, G. Michot and T. Suzuki・Phil. Mag. A, Vol.80, No.5, pp.1265-1272, 2000.5 C

Interpretaion of enhanced plasticity in superconducting Tantalum in terms of enhanced quantum tunneling of dislocation through the Peierls potential: S. Takecuchi, H. Koizumi and T. Suzuki・J. Phys. Soc. Japan, Vol.69, No.6, pp.1727-1730, 2000.6 C

Apparatus for deformation of solids in liquid 3He: T. Hashimoto, S. Katakura, K. Edagawa, S. Takeuchi and T. Suzuki・Rev. Sci. Instrum., Vol.71, No.7, pp.2833-2838, 2000.7 C

Inverse brittle-to-ductile transition of GaAs under hydrostatic pressure: T. Suzuki, T. Tokuoka and H.O.K. Kirchner・Scripta mater. Vol.43, No.7, pp.645-650, 2000.7 C

Cross-slip in GaAs and InP at elevated temperatures: I. Yonenaga and T. Suzuki・Phil. Mag. Lett. Vol.80, No.8, pp.511-518, 2000.8 C

Temperature dependence of the flow stress of III-V compounds: K. Edagawa, H. Koizumi, Y. Kamimura and T. Suzuki・Phil. Mag. A, Vol.80 No.11 pp.2591-2608 , 2000.11 C

Transition path of a lattice dislocation in a high dimensional configuration space: K. Edagawa and T. Suzuki・Mater. Sci. & Engin. A, in press, 2001 C

Emission of elastic waves from a dislocation in a discrete lattice: H. Koizumi, H.O.K. Kirchner and T. Suzuki・Mater. Sci. & Engin. A, in press, 2001 C

Snow as a foam of ice: Plasticity, fracture and the brittle-ductile transition: H.O.K. Kirchner, G. Michot, H. Narita and T. Suzuki・Phil. Mag. A, Vol.81, in press, 2001 C

Bcc金属のパイエルス機構: 鈴木敬愛, 竹内 伸・まてりあ, Vol.41, No.2, pp.89-96, 2001.2 C

正10角形準結晶のSTM観察: 岸田真柄, 坂入芳子, 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.3 E

転位の運動にともなう弾性波の輻射: 小泉大一, H.O.K. Kirchner, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.3 E

結晶塑性における一般則と予測性: 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.3 E

準結晶のSTMおよびSTS: 岸田真柄, 坂入芳子, 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.9 E

格子中らせん転位の遷移経路計算: 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.9 E

準結晶中転位の運動: 太田 晋, 枝川圭一, 鈴木敬愛, 田村隆治, 竹内 伸・日本金属学会講演概要集, 2000.9 E

高圧下でのCdTeの塑性変形: 山内 聡, 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本金属学会講演概要集, 2000.9 E

運動する転位からでる格子振動: 小泉大一, H.O.K. Kirchner, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.9 E

格子中転位の遷移経路とパイエルス・ポテンシャル: 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2000.12 E

bcc遷移金属中のらせん転位のキンク対形成の遷移経路計算: 枝川圭一, 上村祥史, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2001.3 E

bcc遷移金属中のらせん転位の芯構造: 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演予稿集, 2001.3 E

Deformation of crystals controlled by the Peierls mechnism of the smooth kink regime: T. Suzuki ans S. Takeuchi・Crystal lattice defects and dislocation dynamics, ed. by R.A. Vardanian, Nova Science Publishers, Huntington, in press, 2001 G

枝川 研究室 Edagawa Lab.

Thermal expansion of icosahedral Al-Pd-Mn and decagonal Al-Cu-Co quasicrystals: K. Kajiyama, K. Edagawa, T. Suzuki and S. Takeuchi・Phil. Mag. Lett. Vol.80 No.1 pp.49-56, 2000.1 C

Apparatus for deformation of solids in liquid 3He: T. Hashimoto, S. Katakura, K. Edagawa, S. Takeuchi and T. Suzuki・Rev. Sci. Instrum., Vol.71, No.7, pp.2833-2838, 2000.7 C

High Resolution Transmission Electron Microscopy Observation of Thermally Fluctuating Phasons in Decagonal Al-Cu-Co: K. Edagawa, K. Suzuki and S. Takeuchi・Phys. Rev. Lett. Vol.85, No.8, pp.1674-1677, 2000.8 C

Temperature dependence of the flow stress of III-V compounds: K. Edagawa, H. Koizumi, Y. Kamimura and T. Suzuki・Phil. Mag. A Vol.80, No.11, pp.2591-2608, 2000.11 C

Thermal Expansion and Grueneisen Parameters of Quasicrystals: K. Edagawa, K. Kajiyama and S. Takeuchi・MRS Symp. Proc. Vol.553, pp.403-408, 2000.1 D

Modulated photocurrent measurements on an Al-Pd-Re icosahedral quasicrystal: Y. Sakairi, M. Takeda, R. Tamura, K. Edagawa and K. Kimura・Mater. Sci. & Eng. A Vol 294-296, pp.519-521, 2000.12 D

High temperature specific heat of Al-Pd-Mn and Al-Cu-Co quasicrystals: K. Edagawa and K. Kajiyama・Mater. Sci. & Eng. A Vol 294-296, pp.646-649, 2000.12 D

Plasticity of Al-Ni-Co decagonal single quasicrystals: K. Edagawa, S. Ohta, S. Takeuchi, E. Kabutoya, J.Q. Guo and A.-P. Tsai・Mater. Sci. & Eng. A Vol 294-296, pp.748-752, 2000.12 D

正10角形準結晶のSTM観察: 岸田真柄, 坂入芳子, 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演概要集, 第55巻, 第1号, 第4分冊, 2000.3 E

Al-Cu-Co正10角形準結晶中フェイゾン・フリップのその場観察: 枝川圭一, 鈴木邦夫, 竹内 伸・日本金属学会講演概要集, 2000.3 E

フィボナッチ準周期格子中の転位とすべり: 田村隆治, 枝川圭一, 竹内 伸・日本金属学会講演概要集, 2000.3 E

準結晶のSTMおよびSTS: 岸田真柄, 坂入芳子, 上村祥史, 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演概要集, 第55巻, 第2号, 第4分冊, 2000.9 E

格子中らせん転位の遷移経路計算: 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演概要集, 第55巻, 第2号, 第4分冊, 2000.9 E

準結晶中転位の運動: 太田 晋, 枝川圭一, 鈴木敬愛, 田村隆治, 竹内 伸・日本金属学会講演概要集, 2000.9 E

高圧下でのCdTeの塑性変形: 山内 聡, 上村 祥史, 枝川 圭一, 鈴木 敬愛, 日本金属学会講演概要集, 2000.9 E

格子中転位の遷移経路とパイエルス・ポテンシャル: 枝川圭一, 鈴木敬愛・日本物理学会講演概要集, 第55巻, 第1号, 第4分冊, 2000.9 E

準結晶の力学物性: 枝川圭一・まてりあ, 第39巻, 第8号, pp.658-663, 2000.8 G

Quasicrystal Caught in the Act: K. Edagawa, K. Suzuki and S. Takeuchi・Phys. Rev. Focus Vol.6, Story 6, 2000.8 G

小田 研究室 Oda Lab.

エコエフィシェンシーとエコデザイン: 小田克郎, 山本良一・生産研究, 52巻, 3号, pp.143-149, 2000.3 A

巨大磁気抵抗効果を示す新しい酸化物の磁性: 小田克郎, 大塚秀幸・TML Annual Report, pp.145-147, Tsukuba Magnet Laboratory, 2000.11 C

The Effect of Fe Doping on LaMnO3: Y. Miwa, A. Yamamoto, K.o Oda and H. Otsuka・Trans. MRS-J, Vol.25, No.4, pp.1057-1060, 2000.12 C

日本−スウェーデン・地球環境問題国際ワークショップ報告書: 山本良一, 小田克郎・日瑞基金, 2000.3 F

林(宏)研究室 Hayashi Lab.

Applicabilities of σm=YKICSmf1/2 and σd−1o−1 +Ka1/2 to Soda-Lime Glass: Y. Kawaguchi, Y. Yanaba and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.3, pp,273-281, 2000.3 C

Synthesis of New Mono-Carbonitride Mo(C, N)Powder by Heating Mo+C Mixed Powder in High-Pressure Nitrogen Gas: N. Asada, Y. Yamamoto, Y. Doi and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.5, pp.496-501, 2000.5 C

Synthesis of New Mo(C, N)Powder by Heating Mo Powder in CH4+NH3 Mixed Gas of Normal-Pressure: Y. Tanaka and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.5, pp.502-506, 2000.5 C

Microstructure and Mechanical Properties of New WC-Co Base Cemented Carbide Having Highly Oriented Plate-Like Triangular Prismatic WC Grains: S. Kinoshita, T. Saitoh, M. Kobayashi and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.5, pp.526-533, 2000.5 C

Effects of N/(C+N)Atomic Ratio and Amount of Ti(C, N)on Chemical Reaction of Al2O3-Ti(C, N)Ceramics with Ni Plate: H. Takahashi, T. Saitoh, M. Kobayashi and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet, Vol.47, No.5, pp.534-540, 2000.5 C

Application of σd−1o−1+Ka1/2 to Estimation of Fracture Toughness of Hard and Brittle Materials: Y. Yanaba and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.5, pp.589-563, 2000.5 C

Preparation of Fe4N Sintered Compact by Heating Green and Sintered Compacts of Fe Powder in Flowing NH3+H2 Mixed Gas: Y. Tanaka and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.6, pp.600-606, 2000.6 C

Synthesis of New Mono-Carbonitride(W, Mo)(C, N)Powder by Heating W-Mo alloy+C Mixed Powder in CH4+NH3 Mixed Gas of Normal-Pressure: K. Tanaka and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet, Vol.47, No.9, pp.946-950, 2000.9 C

Effects of Test Piece Length, Composition and Sintering Atmosphere on PTCR Characteristics of Porous BaTiO3-Based Vacuum-Sintered Copacts Added with Partially Oxdized Ti Powder: J.-G. Kim, W.-S. Chou and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet., Vol.47, No.9, pp.951-957, 2000.9 C

Study on Grain Growth in Fine Grained Hardmetal by Numerical Calculation: N. Matsuoka and K. Hayashi・J. Jpn. Soc. Powder and Powdermet, Vol.47, No.12, pp.1318-1327, 2000.12 C

A Consideration on Slow Rate of Peritectoid Reaction in Mn-doped Fe-66.7at%Si Alloys -Proposal of New Hypothesis “Vacancy Annihilation in Core in Core-Rim Structure”-: N. Taniguchi and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.177, 2000.11 D

New Equation of σm=YKICSmf1/2 and Its Application to Estimation of KIC of Hard Materials: Y. Yanaba and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.124, 2000.11 D

New Estimation Method of Fracture Toughness of Hard Materials by Use of σ−10−1+Ka1/2: Y. Yanaba and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.97, 2000.11 D

Synthesis of New Carbonitride Powders of W, Mo and W-Mo by Heating Metal and Alloy Powders in High Pressure N2 Gas: Nobuyoshi Asada and Koji Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.129, 2000.11 D

Synthesis of New Mono-Carbonitride Powders of W, Mo and W-Mo by Heating the Metal and Alloy Powders in NH3+CH4 Gas of Normal Pressure: Kazuhiko Tanaka and Koji Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.122, 2000.11 D

Effects of N/(C+N)Ratio and Amount of Ti(C, N)on Microstructure and Properties of Al203-Ti(C, N)Ceramic-Composite: T. Takahashi, T. Saito, M. Kobayashi and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.38, 2000.11 D

WC-Co Base Cemented Carbide Having Unidirectionally Oriented Plate-Like Triangular WC Grains: S. Kinoshita, T. Saito, M. Kobayashi and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.124, 2000.11 D

Effects of Sintering Atmoshpere on Composition Gradient near the Surface of Ti(C, N)Base Cermets: T. Saito, M. Kobayashi and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.125, 2000.11 D

Applicability of New Hypothesis“Equilibrioum Pressure in Isolated Pores”to Sintering Densification of Stellite Powder: T.-W. Lim and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.178, 2000.11 D

PTCR Characteristics of BaTi03-Based Porous Ceramics Newly Developed by Addtion of Partially Oxidixed Ti Powder: J.-G. Kim, W.-S. Cho and K. Hayashi・2000 Powder Metallurgy World Cogress Abstracts, p.151, 2000.11 D

Simulation Study on Grain Growth of Fine Grained WC-Co Hardmetal by Numerical Calculation: K. Hayashi・Abstracts of Satellite Meeting of 2000 Powder Metallurgy World Cogress, p.7, 2000.11 D

σm=YKICSmf1/2およびσd−1o−1+Kα1/2式のAl2O3-TiCおよびZr203-Y203セラミックスへの適用: 梁場 豊, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 2-10A, 2000.5 E

配向した三角板状WC粒を有するWC-Co基超硬合金の高温特性: 木下 聡, 斉藤武志, 小林正樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 3-4A, 2000.5 E

Al2O3-Ti(C, N)セラミックスの機械的性質に及ぼすN/(C+N)比とTi(C, N)量の影響: 高橋俊行, 斉藤武志, 小林正樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 3-10A, 2000.5 E

高圧窒素ガス中加熱によるCrNおよびCr(C, N)の合成: 浅田信昭, 山本良治, 土井良彦, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 3-12A, 2000.5 E

受賞記念講演:超硬合金の粒成長に関する数値計算による研究: 松岡直樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 2-41, 2000.5 E

W, Mo, W-Mo粉のCH4+NH3混合ガス気流中加熱による生成物のNおよびC量に及ぼすガス供給方法の影響: 田中和彦, 林 宏爾・粉体および粉末冶金春季講演大会概要, 3-12A, 2000.5 E

W, Mo, W-Mo粉のCH4+NH3混合ガス気流中加熱合成された炭窒化物中のN, C量に及ぼす昇温プロセスの影響: 田中和彦, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-41A, 2000.10 E

破壊靭性評価用σm=YKICSmf1/2お式の熱間工具鋼への適用: 梁場 豊, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-42A, 2000.10 E

Ti(C, N)基サーメットの破壊靭性に及ぼす主としてN量の影響: 斉藤 武, 小林正樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-43A, 2000.10 E

三角板状WC粒を有するWC-Co基超硬合金の合金組織に及ぼす原料粉末粒度の影響: 木下 聡, 斉藤武志, 小林正樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-46A, 2000.10 E

Al2O3-Ti(C, N)セラミックス常圧+HIP焼結体とホットプレス体の組織と機械的性質: 高橋俊行, 斉藤武志, 小林正樹, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-52A, 2000.10 E

W+Cr+C, W-Cr+C混合粉末の高圧高温窒素中加熱による生成物: 浅田信昭, 林 宏爾・粉体および粉末冶金秋季講演大会概要, 1-62A, 2000.10 E

総報「硬質材料」: 林 宏爾・粉体および粉末冶金, 47巻, 5号, p.486, 2000.5 G

新仮説・理論・解析法の提唱−焼結材料学において−: 林 宏爾・生研記者会見第27回配付資料, 2000.11 G

魚本 研究室 Uomoto Lab.

3次元個別要素法による自己充填コンクリートのスランプフロー解析: Munaz Ahmed NOOR, 魚本健人・生研リーフレット, No.308, 2000.6.1 A

ひび割れを有するコンクリート中の鉄筋腐食シュミレーション: 塚原絵万, 魚本健人・生研リーフレット, No.307, 2000.6.1 A

コンクリート構造物の目視検査による劣化診断システム: 伊代田岳史, 魚本健人・生研リーフレット, No.306, 2000.6.1 A

遷移体を考慮したモルタルのヤング係数の推定に関する研究: 塚原絵万, 加藤佳孝, 魚本健人・生産研究8月号52巻8号, pp.9-12, 2000.8 A

養生環境の違いによるセメント硬化体の水和進行と内部水分: 伊代田岳史, 魚本健人・生産研究10月号52巻10号, pp.47-50, 2000.10 A

ブリーデイング, つき固めがコールドジョイントの強度特性に与える影響: 許賢太郎, 魚本健人・生産研究10月号52巻10号, pp.55-58, 2000.10 A

硫酸腐食環境におけるコンクリート劣化特性: 蔵重 勲, 魚本健人・生産研究10月号52巻10号, pp.59-62, 2000.10 A

Numerical Simulation of French Concrete(3), Three Dimention Discrete Element Simulation of Slump Flow for Self-Compacting Concrete: Munaz Ahmed NOOR, T. Uomoto・生産研究10月号52巻10号, pp.63-66, 2000.10 A

Numerical Simulation of French Concrete(4), Three Dimention Discrete Element Simulation of U-Box Boxed and V-Funnel Test fo Self-Compacting Concrete: Munaz Ahmed NOOR, T. Uomoto・生産研究10月号52巻10号, pp.67-70, 2000.10 A

DURABILITY OF FRP AS REINFORCEMENT FOR CONCRETE STRUCTURES: T. Uomoto・Advanced Composite Materials in Bridges and Structures, Published by The Canadian Society for Civil Engineering, Printed by Careston University, Editors Jagmohan Humar, A. Ghani Razaqpur, pp.3-17, 2000.8 C

コンクリート構造物の信頼回復のために: 魚本健人・セメントコンクリート論文集, No.643, 2000.9 C

硫酸腐食環境におけるコンクリートの劣化特性: 蔵重 勲, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.1, pp.241-246, 2000 C

配合および施工条件がコンクリートのコールドジョイントに与える影響: 許 賢太郎, 小森大育, 加藤佳孝, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.1, pp.259-264, 2000 C

コンクリート表面保護塗膜の挙動に関する実験的研究: 飯塚康弘, 足立一郎, 西村次男, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.1, pp.325-330, 2000 C

A Study on Rheology of High Flowing Cocrete: M. A. Noor, Y. Miyagawa, T. Uomoto・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.2, pp.379-384, 2000 C

多相複合理論に基づいたモルタルのヤング係数に関する一考察: 塚原絵万, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.2, pp.481-486, 2000 C

初期養生時に乾燥を受けるセメント系硬化体の水和反応と水分逸散特性: 伊代田岳史,  高羅信彦, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.2, pp.703-708, 2000 C

遷移体の特性に着目した物質移動現象のモデル化に関する一考察: 加藤佳孝, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.2, pp.733-738, 2000 C

PCグラウンドのレオロジー特性及び注入条件が充填性に与える影響: 西村繭果, 伊藤一聡, 魚本健人・コンクリート工学年次論文集, Vol.22, No.2, pp.1399-1404, 2000 C

MAINTENANCE OF CONCRETE STRUCTURES APPLICATION OF NON-DESTRUCTIVE INSPECTION IN JAPAN: T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, ELESEVIER Edited by Taketo Uomoto, pp.1-11, 2000 C

INVESTIGATION ON SEVERAL NON-DESTRUCTIVE INSPECTION METHODS ABOUT STRENGTH DEGRADATION OF REINFORCED CONCRETE BEAM: T. Tomokokiyo, T. Hikiuchi, K. Hida and T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, ELESEVIER Edited by Taketo Uomoto, pp.151-160, 2000 C

APPLICATION OF VARIOUS NON-DESTRUCTIVE INSPECTION FOR EXISTING REINFORCED CONCRETE STRUCTURES: T. Uomoto, S. Tomizawa and H. Tanaka・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, ELESEVIER Edited by Taketo Uomoto, pp.171-180, 2000 C

EVALUATION OF FATIGUE DAMAGE IN REINFORCED CONCRETE SLAB BY ACOUSTIC EMISSION: S. Yuyama, Z-W. LI, M. Yoshizawa and T. Tomokiyo, T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, ELESEVIER Edited by Taketo Uomoto, pp.283-292, 2000 C

DETECTION OF ULTRASONIC PULSE ECHO THROUGH STEEL BAR IN CONCRETE CRACK DEPTH MEASUREMENT: T. Hirata and T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, ELESEVIER Edited by Taketo Uomoto, pp.383-390, 2000 C

ESTIMATION OF THICKNESS AND WIDTH OF VOID UNDER CONCRETE SLAB USING RADAE IMAGE PROCESSING: S. K. Park and T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, Edited by Taketo Uomoto ELESEVIER, pp.539-548, 2000 C

ESTIMATION METHOD OF CORRODED PORTION OF REINFORCING STEEL BAR NATURAL POTENTIAL MEASUREMENT: E. Tsukahara, R. Koyama, T. Hoshino and T. Uomoto・Non-Destructive Testing in Civil Enginineering 2000, Edited by Taketo Uomoto ELESEVIER, pp.671-678, 2000 C

Self-Compacting Concrete and Its Application in Japan: K. Ozawa and T. Uomoto・6th International Conference, Deterioration and Repair of Reinforced Concrete in the Arabic Gulf, 20-22 November 2000, Bahrain(Organized by THE BAHREIN SOCIETY OF ENGINEERIS), pp.627-642, 2000 C

硫酸によるコンクリートの腐食劣化に関する一実験: 蔵重 勲, 魚本健人・第54回セメント技術大会講演論文集, 2000.2 E

若材齢で乾燥を受けたセメント硬化体の水和速度と内部水分量: 伊代田岳史, 魚本健人・第54回セメント技術大会講演論文集, 2000.2 E

若材齢で乾燥を受けたセメント効果体の水和進行と水分保持能力に関する研究: 伊代田岳史, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-256, pp.512-513, 2000.9 E

乾燥が自由水量の変化と細孔構造の形成に与える影響: 高羅信彦, 伊代田岳史, 足立一郎, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-257, pp.514-515, 2000.9 E

微小硬度計を用いたセメントペーストの弾性評価に関する検討: 塚原絵万, 加藤佳孝, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-261, pp.522-523, 2000.9 E

ひび割れに樹脂注入したコンクリート梁の強度性状と防食効果: 星野富夫, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-328, pp.656-657, 2000.9 E

コンクリートのひび割れ部への硫酸進入に関する一考察: 蔵重 勲, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-339, pp.680-681, 2000.9 E

コンクリート用表面コーテイング材料のひび割れ追従性に関する研究: 飯塚康弘, 西村次男, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-404, pp.810-811, 2000.9 E

数値解析手法によるPCグラウトの充填性に関する定量評価: 西村繭果, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-408, pp.818-819, 2000.9 E

PCグラウトの流動特性が充填性に及ぼす影響: 伊藤一聡, 足立一郎, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-409, pp.820-821, 2000.9 E

コンクリートのコールドジョイントの強度特性に関する一考察: 許賢太郎, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-416, pp.834-835, 2000.9 E

超音波法によるRCひび割れの深さ測定における有効探触子間距離の検討: 宮本一成, 平田隆祥, 勝木 太, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第5部, V-445, pp.892-893, 2000.9 E

サーモグラフィーを用いたき裂検地に関する基礎的研究: 佐藤大輔, 舘石和雄, 魚本健人・土木学会第55回年次学術講演会講演概要集, 第1部, A-19, 2000,9 E

特集:21世紀のコンクリート技術, 21世紀を見据えたコンクリートと国際化: 魚本健人・土木技術, Vol.55, NO.11, pp.35-40, 2000.1 G

コンクリートの劣化と検査手法―現状と将来―: 魚本健人・検査技術, Vol.5 No.4, pp.1-7, 2000.4 G

良質なコンクリート構造物の提供を目指して: 魚本健人, 河野広隆, 松本良夫, 岩本正彦・建設業界, Vol.49, Number 7, pp.14-26, 2000.7 G

黒田 研究室 Kuroda Lab.

Dynamic interconnections using photorefractive crystals: O. Matoba, K. Itoh and K. Kuroda・Photorefractive Optics: Material, Properties and Applications, eds. F. T. S. Yu and S. Yin, Academic Press, Chapter 13, pp.385-429, 2000 B

Optoelectronic information encryption with phase-shifting interferometry: E. Tajahuerce, O. Matoba, S.C. Verrall and B. Javidi・Applied Optics, Vol.39, No.14, pp.2313-2320, 2000.5 C

The keys to holographic data security: O. Matoba and B. Javidi・IEEE Circuits & Devices, Vol.16, No.5, pp.8-15, 2000.5 C

Secure ultrafast communication with spatial-temporal converters: O. Matoba and B. Javidi・Applied Optics, Vol.39, No.17, pp.2975-2981, 2000.6 C

新しい光学的暗号化技術: 的場 修, 志村 努, 黒田和男・光学, Vol.29, No.7, pp.419-425, 2000.7 C

半導体多重量子井戸構造を用いたフォトリフラクティブ光デバイス: 志村 努, 岩本 敏, 黒田和男・光学, Vol.29, No.8, pp.496-497, 2000.8 C

光機能材料およびデバイスの基礎I: 黒田和男・レーザー研究, Vol.28, No.8, pp.548-555, 2000.8 C

光機能材料およびデバイスの基礎II: 黒田和男・レーザー研究, Vol.28, No.9, pp.619-626, 2000.9 C

光機能材料およびデバイスの基礎III: 岩本 敏, 黒田和男・レーザー研究, Vol.28, No.10, pp.705-711, 2000.10 C

Characterization of proton-irradiated InGaAs/GaAs multiple quantum well structures by nonresonant transient four-wave mixing technique: K. Jarasiunas, V. Mizeikis, S. Iwamoto, M. Nishioka, T. Someya, K. Fukutani, Y. Arakawa T. Shimura and K. Kuroda・Jpn. J. Appl. Phys. part1, Vol.39, No.10, pp.5781-5787, 2000.10 C

Secure optical storage using fully phase encryption: X. Tan, O. Matoba, T. Shimura, K. Kuroda and B. Javidi・Appl. Opt., Vol.39, No.35, pp.6689-6694, 2000.12 C

Non-destructive optical characterization of the surface region in bulk semiconductors and heterostructures: V. Mizeikis, K. Jarasiunas, N. Lovergine and K. Kuroda・Thin Solid Films, Vol.364, pp.186-191, 2000 C

Photorefractive multiple quantum well devices at 1064 nm: S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, K. Fukutani, T. Shimura and K. Kuroda・Technical Digest of Conference on Lasers and Electro-Optics, pp.106-107, 2000.5 D

Excitonic resonant photorefractive devices around 1.06 μm: T. Shimura, S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, K. Fukutani and K. Kuroda・International Conference on Electric Materials and Europian Materials Research Society Spring Meeting, J-18, 2000.6 D

Observation of nonlinear phase modulation in femtosecond pulses by cascaded second-order nonlinearity: S. Ashihara, T. Shimura and K. Kuroda・Proceedings of the 7th International Workshop on Femtosecond Technology, p.130, 2000.7 D

Investigation on Non-volatile Holographic Recording in Doubly Doped Lithium Niobate: R. Fujimura, O. Matoba, T. Yamada, S. Ashihara, T. Shimura and K. Kuroda・The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, p.100, 2000.8 D

Secure holographic memory using fully phase encryption: O. Matoba, X. Tan, T. Shimura, K. Kuroda and B. Javidi・Technical Digest of International Symposium on Optical Memory 2000, pp.158-159, 2000.9 D

Secure storage system using polarization encryption: O. Matoba, X. Tan, T. Shimura and K. Kuroda・Program of OSA Annual Meeting 2000, p.124, 2000.10 D

Photorefractive InGaAs/GaAs multiple quantum wells operating at 1064 nm: S. Iwamoto, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, T. Shimura and K. Kuroda・Program of OSA annual meeting 2000, p.126, 2000.10 D

Spectrum broadening in femtosecond pulses by cascaded second-order nonlinearities and the influence of temporal walk-off: S. Ashihara, J. Nishina, T. Shimura and K. Kuroda・IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, Vol.2, pp.517-518, 2000.11 D

InGaAs/GaAs photorefractive p-i-n diode: S. Iwamoto, S. Taketomi, K. Suzuki, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, T. Shimura and K. Kuroda・IEEE LEOS Anual meeting Conference Proceedings, Vol.2, pp.824-825, 2000.11 D

Vibration measurement with speckle correlation filter using GaP: T, Shimura and K. Kuroda・The 2nd International Photonics Conference, W-S3-A03, 2000.12 D

Ti イオン打ち込みによるフォトリフラクティブ量子井戸の作製: 岩本 敏, 縣島英生, 武富紗代子, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.985, 応用物理学会, 2000.3 E

Doubly doped結晶におけるホログラフィック不揮発記録の数値解析: 山田朋宏, 藤村隆史, 芦原 聡, 的場 修, 八木生剛, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, p.986, 応用物理学会, 2000.3 E

リラクサー系強誘電体PZNの光学特性評価: 藤島丈泰, 坪根 隆, 山下洋八, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.989, 応用物理学会, 2000.3 E

位相物体を用いたセキュリティホログラフィック光メモリシステム: 譚 小地, 的場 修, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.1019, 応用物理学会, 2000.3 E

波長コードを用いたセキュリティホログラフィックメモリシステム: 的場 修, B. Javidi, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.1019, 応用物理学会, 2000.3 E

フェムト秒光パルスにおけるカスケーディング非線形効果の測定: 芦原 聡, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関連連合講演会予稿集, p.1104, 応用物理学会, 2000.3 E

波長1.06μmに感度を有するフォトリフラクティブ多重量子井戸素子: 武富紗代子, 岩本 敏, 縣島英生, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.1193, 応用物理学会, 2000.3 E

フォトリフラクティブ多重量子井戸素子を用いた二光波混合振動計測: 武富紗代子, 岩本 敏, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会, p.874, 応用物理学会, 2000.9 E

カスケード非線形効果によるフェムト秒光パルスのスペクトル広帯域化: 芦原 聡, 仁科 潤, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会予稿集, p.945, 応用物理学会, 2000.9 E

ランダム位相マスクを用いたセキュリティーホログラフィックメモリシステムの角度多重記録容量: 的場 修, 譚 小地, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会講演会講演予稿集, p. 1019, 応用物理学会, 2000.9 E

フォトリフラクティブInGaAs/GaAs p-i-nダイオードの特性評価: 岩本 敏, 武富紗代子, 的場 修, 芦原 聡, 鈴木健二, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会, p.1031, 応用物理学会, 2000.9 E

偏光暗号化を用いたセキュリティーホログラフィックメモリシステム: 的場 修, 譚 小地, 井出昌史, 岡田佳子, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会予稿集, pp.59-60, 日本光学会, 2000.10 E

Ru:SBNのフォトリフラクティブ特性: 藤村隆史, 丁 景福, 芦原 聡, 的場 修, 久保田英志, 今井欽之, 八木生剛, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会予稿集, pp.119-120, 日本光学会, 2000.10 E

リラクサー系強誘電体PZNの光学特性(3): 藤島丈泰, 芦原 聡, 的場 修, 山下洋八, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会講演予稿集, pp.311-312, 日本光学会, 2000.10 E

量子機能発現光学素子の現状と将来動向: 黒田和男・光技術コンタクト, Vol.38, No.11, pp.652-656, 2000.11 F

イオン打ち込みを用いた半導体フォトリフラクティブ量子井戸素子の作製: 岩本 敏, 志村 努, 黒田和男・原子力研究総合センターニュース, No.79, p.3, 2000.7 G

小倉磐夫先生を偲ぶ: 黒田和男・光学, Vol.29, No.12, pp.766-767, 2000.12 G

志村 研究室 Simura Lab.

新しい光学的暗号化技術: 的場 修, 志村 努, 黒田和男・光学, Vol.29, No.7, pp.419-425, 2000.7 C

半導体多重量子井戸構造を用いたフォトリフラクティブ光デバイス: 志村 努, 岩本 敏, 黒田和男・光学, Vol.29, No.8, pp.496-497, 2000.8 C

Characterization of proton-irradiated InGaAs/GaAs multiple quantum well structures by nonresonant transient four-wave mixing technique: K. Jarasiunas, V. Mizeikis, S. Iwamoto, M. Nishioka, T. Someya, K. Fukutani,Y. Arakawa T. Shimura and K. Kuroda・Jpn. J. Appl. Phys. part1, Vol.39, No.10, pp.5781-5787, 2000.10 C

Secure optical storage using fully phase encryption: X. Tan, O. Matoba, T. Shimura, K. Kuroda and B. Javidi・Appl. Opt., Vol.39, No.35, pp.6689-6694, 2000.12 C

Photorefractive multiple quantum well devices at 1064 nm: S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, K. Fukutani, T. Shimura and K. Kuroda・Conference on Lasers and Electrooptics, pp.106-107, 2000.5 D

Excitonic resonant photorefractive devices around 1.06 μm: T. Shimura, S. Iwamoto, H. Kageshima, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya,Y. Arakawa, K. Fukutani and K. Kuroda・International Conference on Electric Materials and Europian Materials Research Society Spring Meeting, J-18, 2000.6 D

Observation of nonlinear phase modulation in femtosecond pulses by cascaded second-order nonlinearity: S. Ashihara, T. Shimura and K. Kuroda・Proceedings of the 7th International Workshop on Femtosecond Technology, p.130, 2000.7 D

Investigation on Non-volatile Holographic Recording in Doubly Doped Lithium Niobate: R. Fujimura, O. Matoba, T. Yamada, S. Ashihara, T. Shimura and K. Kuroda・The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, p.100, 2000.8 D

Secure holographic memory using fully phase encryption: O. Matoba, X. Tan, T. Shimura, K. Kuroda and B. Javidi・Technical Digest of International Symposium on Optical Memory 2000, pp.158-159, 2000.9 D

Secure storage system using polarization encryption: O. Matoba, X. Tan, T. Shimura and K. Kuroda・OSA Annual Meeting 2000, Optical Society of America, 2000.10 D

Photorefractive InGaAs/GaAs multiple quantum wells operating at 1064 nm: S. Iwamoto, S. Taketomi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, T. Shimura and K. Kuroda・OSA annual meeting 2000, Optical Society of America, 2000.10 D

Spectrum broadening in femtosecond pulses by cascaded second-order nonlinearities and the influence of temporal walk-off: S. Ashihara, J. Nishina, T. Shimura and K. Kuroda・IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, Vol.2, pp.517-518, 2000.11 D

InGaAs/GaAs photorefractive p-i-n diode: S. Iwamoto, S. Taketomi, K. Suzuki, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa, T. Shimura and K. Kuroda・IEEE LEOS Anual meeting Conference Proceedings, Vol.2, pp.824-825 2000.11 D

Vibration measurement with speckle correlation filter using GaP: T. Shimura and K. Kuroda・The 2nd International Photonics Conference, W-S3-A03, 2000.12 D

Tiイオン打ち込みによるフォトリフラクティブ量子井戸の作製: 岩本 敏, 縣島英生, 武富紗代子, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.985, 応用物理学会, 2000.3 E

Doubly doped結晶におけるホログラフィック不揮発記録の数値解析: 山田朋宏, 藤村隆史, 芦原 聡, 的場 修, 八木生剛, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, p.986, 応用物理学会, 2000.3 E

リラクサー系強誘電体PZNの光学特性評価: 藤島丈泰, 坪根 隆, 山下洋八, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.989, 応用物理学会, 2000.3 E

位相物体を用いたセキュリティホログラフィック光メモリシステム: 譚 小地, 的場 修, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.1019, 応用物理学会, 2000.3 E

フェムト秒光パルスにおけるカスケーディング非線形効果の測定: 芦原 聡, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関連連合講演会予稿集, p.1104, 応用物理学会, 2000.3 E

波長1.06μmに感度を有するフォトリフラクティブ多重量子井戸素子: 武富紗代子, 岩本 敏, 縣島英生, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第47回応用物理学関係連合講演会, p.1193, 応用物理学会, 2000.3 E

フォトリフラクティブ多重量子井戸素子を用いた二光波混合振動計測: 武富紗代子, 岩本 敏, 的場 修, 芦原 聡, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 福谷克之, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会, p.874, 応用物理学会, 2000.9 E

カスケード非線形効果によるフェムト秒光パルスのスペクトル広帯域化: 芦原 聡, 仁科 潤, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会予稿集, p.945, 応用物理学会 2000.9 E

ランダム位相マスクを用いたセキュリティーホログラフィックメモリシステムの角度多重記録容量: 的場 修, 譚 小地, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会講演会講演予稿集, p.1019, 応用物理学会, 2000.9 E

フォトリフラクティブInGaAs/GaAs p-i-nダイオードの特性評価: 岩本 敏, 武富紗代子, 的場 修, 芦原 聡, 鈴木健二, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦, 志村 努, 黒田和男・第61回応用物理学会学術講演会, p.1031, 応用物理学会, 2000.9 E

偏光暗号化を用いたセキュリティーホログラフィックメモリシステム: 的場 修, 譚 小地, 井出昌史, 岡田佳子, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会予稿集, pp.59-60, 日本光学会, 2000.10 E

Ru:SBNのフォトリフラクティブ特性: 藤村隆史, 丁 景福, 芦原 聡, 的場 修, 久保田英志, 今井欽之, 八木生剛, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会予稿集, pp.119-120, 日本光学会, 2000.10 E

リラクサー系強誘電体PZNの光学特性(3): 藤島丈泰, 芦原 聡, 的場 修, 山下洋八, 志村 努, 黒田和男・日本光学会年次学術講演会講演予稿集, pp.311-312, 日本光学会, 2000.10 E

イオン打ち込みを用いた半導体フォトリフラクティブ量子井戸素子の作製: 岩本 敏, 志村 努, 黒田和男・原子力研究総合センターニュース, No.79, p.3, 2000.7 G

榊 研究室 Sakaki Lab.

Quantum confinement without walls: S. Tsujino, S.J. Allen, M. Thomas, J.P. Zhang, J. Speck, T. Eckhause, E. Gwinn, M. Rufenacht and H. Sakaki・Superlattices and Microstructures, vol.27,No.5/6, pp.469-472, 2000 C

Anomalous conductance quantization in a novel quantum point contact with periodic(Λ〜16nm)potential modulation: K. Tanaka, Y. Nakamura and H. Sakaki・Physica E, vol.6, pp.558-560, 2000 C

Fano profile in Intersubband transitions in InAs quantum dots: Ph. Lelong, S.-W. Lee, K. Hirakawa and H. Sakaki・Physica E, vol.7, pp.174-178, 2000 C

Surface potential measurement of self-assembled InAs dots by scanning Maxwell stress microscopy: I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki and M. Fujimoto・Physica E, vol.7, pp.373-376, 2000 C

Quantum storage effects in n-AlGaAs/GaAs heterojunction FETs with embedded InAs QDs and localized states induced by Ga-FIB implantation: H. Kim and H. Sakaki・Physica E, vol.7, pp.435-439, 2000 C

Enhancement of the Coulomb correlations in type-II quantum dots: Ph. Lelong, K. Suzuki, G. Bastard, H. Sakaki and Y. Arakawa・Physica E, vol.7, pp.393-397, 2000 C

Effect of substrate rotation on inter-surface diffusion in MBE for mesa-structure fabrication: D. Kishimoto, T.Noda, Y.Nakamura, H. Sakaki and T. Nishinaga・J. Crystal Growth, vol.209, pp.591-598, 2000 C

(111)B growth elimination in GaAs MBE of(001)-(111)B mesa structure by suppressing 2D-nucleation: D. Kishimoto, T. Nishinaga, S. Naritsuka, T. Noda, Y. Nakamura and H. Sakaki・J. Crystal Growth, vol.212, pp.373-378, 2000 C

2D-nucleation on(111)B micro-facet studied by microprobe-RHEED in GaAs MBE for mesa-structure fabrication: D. Kishimoto, T. Ogura, A. Yamashiki, T. Nishinaga, S. Naritsuka and H. Sakaki・J. Crystal Growth, vol. 216(1-4), pp.1-5, 2000 C

量子井戸を吸収層と検出層に用いた波長選択性赤外ボロメータ素子の提案と特性解析: 笹川隆平, 菅原宏治, 秋山英文, 榊 裕之・電子情報通信学会論文誌, Vol.J83-C, No.6, pp.523-532, 2000 C

Quantitative Study of Exciton-Exciton Interaction in a GaAs Microcavity: C. Ramkumar, T. Aoki, R. Shimano, Y. P. Svirko, T. Kise, T. Someya, H. Sakaki and M. Kuwata-Gonokami・J. Phys. Soc. Japan, vol.69, No. 8, pp.2439-2442, 2000 C

Peak position of the intersubband absorption spectrum of quantum wells with controlled electron concentrations: Tsujino, M. Rufenacht, H. Nakajima, T. Noda, C. Metzner and H. Sakaki・Phys. Rev. B 65, p.1560, 2000 C

Control of current Hysteresis effects in a GaAs/n・AlGaAs quautum Trap field effect Transister with embedded InAs quantum dots.: H. Kim, T. Noda, T. Kawazu and H. Sakaki・Jpn. J. Appl. Phy. Vol.39, pp.7100-7102, 2000 C

Electron manipulation and device synthesis in semiconductor nanostructures from superlattices to quantum dots(Invited PlenaryTalk): H. Sakaki・Record of Int. Symp. on Electron and Electromagnetic Field in Nanometer-Scale Structures(ed. by H. Nejo), Springer-Verlag, pp.11-12, 2000.3 D

Charge storage and relaxation in self-organized InAs quantum dots and control of 2D electron transports in neighboring GaAs/n-AlGaAs channels(Invited): H. Sakaki, G. Yusa, T. Kawazu, H. Kim and T. Inoshita・UK-Japan Meeting on New Developments in Advanced Electronic and Optical Materials and Devices, Oxford, U.K., 2000.3.13-14 D

Mid infrared detection and Fano resonance in bound-to-continuum intersubband transition in self-assembled InAs quantum dots(Invited): K. Hirakawa, S. -W. Lee, Ph. Lelong and H. Sakaki・UK-Japan Meeting on New Developments in Advanced Electronic and Optical Materials and Devices, Oxford, U.K., 2000.3.13-14 D

(110)interface roughness and local electronic states in GaAs T-shaped quantum wires and wells: M. Yoshita, N. Kondo, H. Sakaki, M. Baba and H. Akiyama・Technical Digest for Conf. on Lasers and Electro-Optics/ Quantum Electronics and Laser Science Conference(CLEO/QELS 2000), USA, p.8, 2000.5.7-12 D

Dynamics of electrons interacting with phonons in quantum dots(Invited): T. Inoshita and H. Sakaki・7th Int. Workshop on Computational Electronics, University of Glasgow, Scotland, 2000.5.22-25 D

Control of current hysteresis effects in a GaAs/n-AlGaAs quantum trap FET with embedded InAs quantum dots: H. Kim, T. Noda, T. Kawazu and H. Sakaki・2000 Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf., Tokyo, Japan, 2000.7.11-13 D

Scattering of 2D electrons by self-organized quantum dots and antidots in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels: T. Kawazu, T. Noda, H. Kim, J. Irisawa, T. Yamabana, G. Yusa, C. Metzner and H. Sakaki・Int. Conf. on Semiconductor Quantum Dots, Munich, Germany, 2000.7.31-8.3 D

Epitaxial synthesis of 10nm-scale quantum wires and dots and their potentials in advanced electronics(Invited): H. Sakaki・French-Japanese Workshop on Nano-Materials, Tokyo, Japan, 2000.8.28-29 D

Quantum-dot and single-electron devices/circuits: Research project review and future prospects(Invited): H. Sakaki・Collected Abstracts 3rd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Tu2-1, 2000.9.10-14 D

Electronics and excitonic structures in novel type-II quantum rings: Ph. Lelong and H. Sakaki・Collected Abstracts 3rd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Th1-7, 2000.9.10-14 D

Electronic structure, Stark effect and optical properties of multi-stacked dots: A. Vasanelli, M. De Giorgi, R. Ferreira, R. Cingolani, H. Sakaki and G. Bastard・Collected Abstracts 3rd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Mo3-5, 2000.9.10-14 D

Long-lifetime of photoexcited carriers in modulation-doped quantum dot infrared photodetectors: S.-W. Lee, K. Hirakawa and H. Sakaki・Collected Abstracts 3rd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Tu1-14, 2000.9.10-14 D

Structural and optical properties of MBE grown GaNAs/GaAs quantum well structures: T. Noda, S. Koshiba, Y. Nagamune and H. Sakaki・11th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, P3.13, 2000.9.10-15 D

Transformation of GaAs(001)-(111)B facet structure by surface diffusion during molecular beam epitaxy on patterned substrates: S. Koshiba, Y. Nakamura, T. Noda, S. Watanabe, H. Akiyama and H. Sakaki・11th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, Fr.1.5, 2000.9.10-15 D

InAs/GaInP self-assembled quantum dots: Molecular beam epitaxial growth and optical properties: H. Amanai, S. Nagao and H. Sakaki・11th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, 2000.9.10-15 D

Evolution of quantum wire and quantum dot systems(Invited): H. Sakaki・Abstracts of 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, P13, 2000.9.17-22 D

Electronic structure, stark effect and optical properties of multi-stacked dots: A. Vasanelli, M.De Giorgi, R. Ferreira, R. Cingolani, H. Sakaki and G. Bastard・Abstracts of 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, D179, 2000.9.17-22 D

Fano profiles in bound-to-continuum intersubband transitions in negatively charged InAs quantum dots: Ph. Lelong, K. Hirakawa, K. Hirotani, S.-W. Lee and H. Sakaki・Abstracts of 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, D187, 2000.9.17-22 D

Control of electron storage and memory characteristics of single and stacked InAs quantum dot layers embedded in GaAs/n-AlGaAs FET structures: H. Kim, T. noda, G. Yusa, T. Kawazu and H. Sakaki・Abstracts of 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, H280, 2000.9.17-22 D

Cyclotron resonance of InAs self-organized quantum dots: Y. Nagamune, T. Noda, H. Kim and H. Sakaki・Abstracts of 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, M203, 2000.9.17-22 D

Evolution and prospects of quantum wires and quantum dots systems and their device applications(Invited): H. Sakaki・UCSB-QUEST Distinguished Lecture, Santa Barbara, USA, 2000.10.7 D

Quantum dot and wires structures: will they be work horses in advanced electronics?(Invited): H. Sakaki・Abstracts for Japanese German Nanotechnology Symposium, Berlin, Germany, 2000.10.30-31 D

High-sensitivity mid infrared detection by modulation-doped quantum dot infrared photodetectors: K. Hirakawa, S. -W. Lee, Ph. Lelong, K Hirotani and H. Sakaki・Int. Photonics Conf. 2000, Taipei, Taiwan, 2000.12.12-16 D

半導体ナノ構造の形成法の進展と電子物性と素子機能の制御: 榊 裕之・工業技術院特別講演会, 電子技術総合研究所, 2000.1.11 E

InAs系量子ドットと2次元電子との相互作用: 川津琢也, 野田武司, 金  勲, 永宗 靖, 堀 真一, 入沢準也, 榊 裕之・電子情報通信学会, 電子デバイス研究会, 北海道大学, 信学技報ISSN0913-5685, Vol.99, No.615, p.107, 2000.2 E

固体素子システムの新探索領域:次世代sensingと認識素子の可能性(招待公演): 榊 裕之・科学技術振興事業団異分野研究者交流フォーラム, 大仁ホテル(静岡), 2000.3.4 E

リッジ型量子細線レーザー構造のパターンサイズ依存性: 渡邉紳一, 小柴 俊, 吉田正裕, 榊 裕之, 馬場基芳, 秋山英文・日本物理学会(2000年春季)講演概要集55巻1号, p.598, 関西大学, 2000.3 E

GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・電子濃度依存性: 高橋輝行, 吉田正裕, 馬場基芳, 秋山英文, 野田武司, 榊 裕之・日本物理学会(2000年春季)講演概要集55巻1号 p.593, 関西大学, 2000.3 E

GaNAs/GaAs量子井戸のMBE成長とその構造評価: 野田武司, 小柴 俊, 榊 裕之・第47回応用物理学会(2000年春季)講演予稿集, 30a-YD-2, 青山学院大, 2000.3.28-31 E

量子ドットと量子井戸チャネルを隣接させた構造における電子分布と伝導特性: 堀 真一, 金  勲, 川津琢也, 近藤直樹, 入沢準也, 山端徹次, 野田武司, 榊 裕之・第47回応用物理学会(2000年春季)講演予稿集, 28p-ZK-10, 青山学院大, 2000.3.28-31 E

InAlAsドット埋め込みヘテロ接合チャネルにおける電子錯乱と移動度: 川津琢也, 野田武司, 金  勲, 堀 真一, 入沢準也, 山端徹次, 榊 裕之・第47回応用物理学会(2000年春季)講演予稿集, 28p-ZK-11, 青山学院大, 2000.3.28-31 E

変調ドープ横方向伝導型赤外光検出器−構造, 感度, スペクトル−: 李 承雄, 広谷仁寿, Ph. Lelong, 平川一彦, 榊 裕之・電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 機械振興会館, 東京, 信学技報LQE2000-18, p.27, 2000.6.21 E

10nm級量子構造形成技術の最近の進展とデバイス応用の展望(招待公演): 榊 裕之・名城大学ハイテク・リサーチ・センターシンポジウム, 名城大学, 2000.6.23 E

High-sensitivity mid infrared detection by bound-to-continuum intersubband transition in self-assembled InAs quantum dots: S.-W. Lee, K. Hirotani, Ph. Lelong, K. Hirakwa and H. Sakaki・第19回電子材料シンポジウム, 伊豆長岡, 2000.6.28-30 E

量子ドット研究の最近の進展: 榊 裕之・電気学会電気デバイス技術調査委員会, 2000.6.30 E

ナノテクノロジーの世界〜自己組織化と新材料・新デバイス(招待講演): 榊 裕之・日本経済新聞 最先端科学フォーラム「21世紀夢の技術展」, 東京ビッグサイト, 2000.7.27 E

ナノテクノロジーの動向と展望(招待公演): 榊 裕之・東京大学放射光・ナノリンク合同ワークショップ, 2000.8.22 E

GaAs T型量子細線におけるキャリアの流れ込み効果とその温度特性: 吉田正裕, 染谷隆夫, 近藤直樹, 榊 裕之, 馬場基芳, 秋山英文・日本物理学会(2000年秋季)講演概要集55巻2号, p.590, 新潟大学, 2000.9 E

リッジ型半導体量子細線構造における価電子帯波動関数の数値計算と発光・発振特性: 渡辺紳一, 小柴 俊, 吉田正裕, 榊 裕之, 馬場基芳, 秋山英文・日本物理学会(2000年秋季)講演概要集55巻2号 p.590, 新潟大学, 2000.9 E

GaAs量子井戸のサブバンド吸収幅における凸凹散乱の効果: 鵜沼毅也, 高橋輝行, 吉田正裕, 秋山英文, 野田武司, 榊 裕之・日本物理学会(2000年秋季)講演概要集55巻2号590頁, 新潟大学, 2000.9 E

InAs系自己形成量子ドット構造における障壁組成とエネルギー準位の制御: 山端徹次, 野田武司, 金  勲, 川津琢也, 近藤直樹, 入沢準也, 榊 裕之・第61回応用物理学会(2000年秋季)講演予稿集, 4p-ZR-4, 北海道工業大, 2000.9.3-7 E

InAlAsドット埋め込みヘテロ接合チャネルにおける電子散乱と移動度2: 川津琢也, 野田武司, 金  勲, 入沢準也, 山端徹次, 榊 裕之・第61回応用物理学会(2000年秋季)講演予稿集, 5a-ZR-6, 北海道工業大, 2000.9.3-7 E

InAs系量子ドット埋込みヘテロFET構造における電子蓄積とメモリ機能: 金  勲, 野田武司, 遊佐 剛, 川津琢也, 榊 裕之・第61回応用物理学会(2000年秋季)講演予稿集, 4p-ZR-10, 北海道工業大, 2000.9.3-7 E

InAs自己形成量子ドットのサイクロトロン共鳴: 永宗 靖, 野田武司, 金  勲, 榊 裕之・第61回応用物理学会(2000年秋季)講演予稿集, 4p-ZR-11, 北海道工業大, 2000.9.3-7 E

化合物半導体における電子の量子的制御と新デバイス開発ー21世紀に向けてー(招待講演): 榊 裕之・早稲田大学, 材料技術研究所オープンセミナー「化合物半導体21世紀の展望」, 東京, 2000.11.13 E

ナノテクノロジーの現在と未来ーエレクトロニクス応用を中心として(招待講演): 榊 裕之・技術同友会セミナー, 経団連会館, 2000.12.21 E

V溝AlGaAs/GaAs量子細線の磁気PLおよび磁気抵抗の測定: 永宗 靖, 王 学論, 辻川智子, 榊 裕之, 小倉睦郎・第3回量子効果等の物理現象シンポジウム予稿集, p.200, 科学技術振興事業団, 東京, 2000.12 E

Real time detection of 2D-nucleation on(111)B side microfacet of mesa-structure in MBE of GaAs: D. Kishimoto, T. Ogura, A. Yamashiki, T.Nishinaga, S. Natitsuka and H. Sakaki・4th Symp. on JSPS Research-for- the- Future Program in the area of Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000 E

La frontiere du nanometre et du picometre: Les nouveaux horizons de la nanotechnologie: H. Sakaki・Cahiers du Japon, No. 84, pp.48-50, ETE, 2000 G

ナノの舞台で電子を操る: 榊 裕之・科学技術振興事業団, 基礎研究報「源流」No.2「特集量子の世界」, pp.26-30, 2000 G

半導体工学と学術の統合: 榊 裕之・半導体研究振興会, 「半導体研究」46巻, 巻頭言, 2000 G

半導体エレクトロニクスの新展開: 榊 裕之・テクノ懇話会セミナー, 2000 G

大学を軸とする人材育成プログラムの戦略: 榊 裕之・「ソフト資源の重点的確保に関する調査報告」(社)資源協会pp.21-26, 2000 G

Nano-pico frontier: The new horizons of nanotechnology: H. Sakaki・JAPANECHO, Vol. 27, No. 1, pp.47-49, 2000.2 G

20世紀の技術革新と21世紀の研究開発: 榊 裕之・Technological Innovation of the 20th Century and Research and Development for the 21th Century, FEDジャーナル(新機能素子協会)Vol.11, No.1, 巻頭言, pp.1-2, 2000.5 G

極微の世界が先端技術をさらに革新させる: 榊 裕之・エコノミスト, 78巻36号, 通巻3466号, pp.20-21, 2000.8.29 G

ナノエレクトロニクスの現状と展望: 榊 裕之・科学新聞ナノサイエンス・テクノロジー研究, 2000.9.8 G

COE(中核的研究拠点)プロジェクト「量子ドットの物理と応用」の発足: 榊 裕之・生研ニュース No.67, 2000.12.1 G

クレーマー教授にノーベル物理学賞: 榊 裕之・生研ニュース No.67, 2000.12.1 G

ノーベル物理学賞:ヘテロ構造半導体レーザーの発明: 榊 裕之・パリティ(丸善), Vol.15, No.12, pp.25-26, 2000.12 G

2000年ノーベル物理学賞「情報通信技術の中核を築いた人たち」: 榊 裕之・現代化学(東京化学同人)1月号, No.358, pp.60-64, 2000.12 G

平川 研究室 Hirakawa Lab.

Fano profile in intersubband transitions in InAs quantum dots: Ph. Lelong, S.-W. Lee, K. Hirakawa and H. Sakaki・Physica E, vol.7, pp.174-178, 2000 C

Modulation-doped quantum dot infrared photodetectors using self-assembled InAs quantum dots: S.-W. Lee, K. Hirakawa and Y. Shimada・Physica E, vol.7, pp.499-502, 2000 C

Mid-Infrared Photodetector using self-assembled InAs quantum dots embedded in modulation doped GaAs quantum wells: S. -W. Lee, K. Hirakawa and Y. Shimada・MRS Symposia Proceedings, Vol.607 Infrared Applications of Semiconductors III, pp.147-152, 2000 C

Lifetime and intersubband transition in thin GaN/AlGaN quantum wells: K. Hoshino, J. C. Harris, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・4th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Mid infrared detection and Fano resonance in bound-to-continuum intersubband transition in self-assembled InAs quantum dos: K. Hirakawa, S. -W. Lee, Ph. Lelong and H. Sakaki・UK-Japan 10+10 Meeting on New Developments in Advanced Electronic and Optical Materials and Devices, Oxford, U.K, 2000.3 D

THz radiation imaging of GaAs-MIN structures: M. Yamashita, M. Tonouchi, M. Hangyo, Y. Shimada and K. Hirakawa・The 7th International Workshop on Femtosecond Technology(FST2000), Tsukuba, Japan, 2000.6 D

THz Emission due to Miniband Transport in GaAs/AlGaAs Superlattices: Y. Shimada, T. Matsuno and K. Hirakawa・2000 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Miyagi, 2000.8 D

Fano profiles in bound-to-continuum intersubband transitions in negatively charged InAs quantum dots: Ph. Lelong, K. Hirakawa, K. Hirotani, S. W. Lee and H. Sakaki・25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 2000.9 D

Infrared Optical Conductivity of In1-xMnxAs: K. Hirakawa, A. Oiwa and H. Munekata・The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, 2000.9 D

Observation of intersubband transition in AlGaN/GaN single heterostructures: K. Hoshino, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 2000.9 D

Effect of strain relaxation and screening on intersubband transitions in GaN/AlGaN multiple quantum wells: K. Hoshino, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2000), Nagoya, Japan, 2000.9 D

Electronic states and intersubband transition spectra in InAs/GaAs self-assembled quantum dots: K. Hirotani, S. W. Lee, Ph. Lelong and K. Hirakawa・2000 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures(QDS 2000), Sapporo, Japan, 2000.9 D

Long-Lifetime of Photoexcited Carriers in Modulation-Doped Quantum Dot Infrared Photodetectors: S. W. Lee, K. Hirakawa and H. Sakaki・2000 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures(QDS 2000), Sapporo, Japan, 2000.9 D

Magnetism and metal-insulator transition in III-V based diluted magnetic semiconductors: S. Katsumoto, T. Hayashi, Y. Hashimoto, Y. Iye, Y. Ishiwata, M. Watanabe, R. Eguchi, T. Takeuchi, Y. Harada, S. Shin and K. Hirakawa・8th NEC Symposium on Fundamental Approaches to New Material Phases“SPIN-RELATED QUANTUM TRANSPORT IN MESOSCOPIC SYSTEMS”, Nasu, Japan, 2000.10 D

High-sensitivity mid infrared detection by modulation-doped quantum dot infrared photodetectors(invited): K. Hirakawa, S.-W. Lee, Ph. Lelong, K. Hirotani and H. Sakaki・International Photonics Conference 2000, Hsinchu, Taiwan, 2000.12 D

Sharp Intersubband Absorption Spectra in AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells: K. Hoshino, T. Someya, M. Helm, K. Hirakawa and Y. Arakawa・CLEO 2000, San Francisco, U.S.A, 2000 D

量子ホール効果による高感度遠赤外光検出(招待講演): 平川一彦, 川口 康, 山中宏治, 小宮山進・センシング技術応用研究会第47回薄膜センサ技術分科会, 郵政省通信総合研究所関西先端研究センター, 2000.1 E

半導体量子ドット中のサブバンド間遷移を用いた高感度赤外光検出(招待講演): 平川一彦・金属材料研究所セミナー, 2000.2 E

自己組織化InAs量子ドットを用いた横方向伝導型赤外光検出器: 平川一彦・科学研究費補助金「特定領域(A) 単電子デバイスとその高密度集積化」平成11年度研究成果報告会, 広済会館, 2000.2 E

AlGaN/GaN多重量子井戸サブバンド間光吸収スペクトルの井戸数依存性: 星野勝之, 染谷隆夫, M. Helm, 平川一彦, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 2000.3 E

GaAs/AlGaAs半導体超格子構造中のミニバン度伝導とテラヘルツ放射: 島田洋蔵, 松野哲也, 平川一彦, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 2000.3 E

横方向伝導型量子ドット赤外光検出器: 光励起キャリアの寿命と感度: 李 承雄, 平川一彦, 島田洋蔵・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学・2000.3 E

III-V族希薄磁性半導体InMnAsの光学伝導度: 平川一彦, 大岩 顕, 宗片比呂夫・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 2000.3 E

InAs/GaAs自己形成量子ドット中のサブバンド間遷移スペクトルと電子状態: 広谷仁寿, 李 承雄, Ph. Lelong, 平川一彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 2000.3 E

低温成長GaAs MIN構造からのフェムト秒レーザ励起によるTHz電磁波の発生: 松野哲也, 島田洋蔵, 平川一彦, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 2000.3 E

相関測定法を用いたGaAs空乏層からの広帯域テラヘルツ光検出: 島田洋蔵, 松野哲也, 平川一彦・電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(信学技報), 福井大学, 2000.5 E

変調ドープ横方向伝導型赤外光検出器−構造, 感度, スペクトル−: 李 承雄, 広谷仁寿, Ph. Lelong, 平川一彦, 榊 裕之・電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 信学技報, 機械振興会館, 2000.6 E

High-sensitivity mid infrared detection by bound-to-continuum intersubband transition in self-assembled InAs quantum dots: S. -W. Lee, K. Hirotani, Ph. Lelong, K. Hirakawa and H. Sakaki・第19回電子材料シンポジウム, 2000.6 E

時間と周波数の接点−テラヘルツ電磁波: 平川一彦・第22回生研公開講座イブニングセミナー「ひと・もの・ことをむすぶエレクトロニクス技術の研究動向」, 東京大学生産技術研究所, 2000.6 E

Intersubband transition in GaN/AlGaN multiple quantum wells: K. Hoshino, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・第19回電子材料シンポジウム, 2000.6 E

半導体中の超高速電子ダイナミクスとテラヘルツ電磁波: 平川一彦, 島田洋蔵, 松野哲也, 関根徳彦・第61回応用物理学会学術講演会, 2000.9 E

第60回応用物理学会学術講演会(1999年)報告(半導体B): 平川一彦・応用物理, Vol.69, No.1, pp.91-92, 2000 F

第47回応用物理学関係連合講演会(2000年)−半導体B−: 平川一彦・応用物理, Vol.69, No.6, pp.712-713, 2000 F

荒川 研究室 Arakawa Lab.

Effect of carrier confinement on photoluminescence from modulation-doped Al(x)Ga(x-1)N/GaN heterostructures: B.Shen, T. Someya, O. Moriwaki and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.76, No.6, pp.679-681, 2000.2.7 C

Spectroscopic discrimination of nonradiative centers in quantum wells by two-wavelength excited photoluminescence: J. M. Z. Ocampo, N. Kamata, K.Hoshino, M. Hirasawa, K. Yamada, M.Nishioka and Y. Arakawa・J. CrystalGrowth, Vol.210, pp.238-241, 2000. 2 C

Nonlinear Inverse Filter Using・-Filter and Its Applications to Image Restoration: H. Watabe, K. Arakawa and Y. Arakawa・IEICE Trans.Fundamentals, Vol.E 83-A, No.2, pp.283-290, 2000.2 C

Micro-photoluminescence study of a single InGaN quantum dot: H. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana and Y. Arakawa・The fourth IMternationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD: J. Tatebayashi, S. Ishida, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa Jpn. J. of Appl. Phys.vol.39, part1, No.4B, pp.2344-2346, 2000.4 C

Narrow photoluminescence peaks from localized states in InGaN quantum dot structures: O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.17, pp.2361-2363, 2000.4 C

Progress in GaN-Based Nanostructures for Blue Light Emitting Quantum Dot Lasers and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers: Y. Arakawa, T. Someya and K. Tachibana(Invited)・IEICE TRANS. ELECTRON., Vol.E83-C, No.4, 2000.4 C

Influence of strain relaxation of the Al(x)Ga(1-x)N barrier on transport properties of the two-dimensional electron gas in modulation-doped Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures: B. Shen, T. Someya and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, vol.76, No.19, pp.2746-2748, 2000.5.8 C

Enhancement of the Coulomb correlations in typeII quantum dots: Ph. Lelong, K. Suzuki, G. Bastard, H. Sakaki and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.393-397, 2000.5 C

Absence of nonradiative recombination centers in Modulation-doped quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence: K. Hoshino, J.M. Zanardi Ocampo, N. Kamata, K. Yamada, M. Nishioka and Y. Arakawa・Physica E Vol.7, No.3-4, pp.563-566, 2000.5 C

Growth of InGaN self-assembled quantum dots and their application to lasers: K. Tachibana, T. Someya and Y. Arakawa・IEEE J. Selected Topics inQuantum Electronics Vol.6, No.3, 475-481, 2000.5 C

MOCVD growth of a stacked InGaN quantum dot structure and its lasing oscillation at room temperature: K. Tachibana, T. Someya, R. Werner, A. Forchel and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.944-948, 2000.5 C

Photoluminescence from two-dimensional electron gas in modulation-doped AlGaN/GaN heterostructures: B. Shen, T. SOmeya, O.Moriwali and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.939-943, 2000.5 C

Spectroscopy of nonradiative recombination centers in quantum wells by two-wavelength excited photoluminescence: J. M. Z. Ocampo, N. Kamata, K.Hoshino, K. Endoh, K. Yamada, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・J. Lumin., Vol.87-89, pp.363-365, 2000. 5 C

Selective growth of InGaN quantum dot structures and their microphotoluminescence at room temperature: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y.Arakawa・Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.22, pp.3212-3214, 2000.5 C

Effects of electron-hole correlation in quantum dots under high magnetic field (up to 45T): R. Cingolani, M.De Giorgi, R. Rinaldi, H. Lipsanen, M. Sopanen, K. Uchida, N. Miura and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.346-349, 2000.5 C

Near-field spectroscopy of a single InGaAs self-assembled quantum dots: Y. Toda and Y. Arakawa: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum electronics Vol.6, No.3, pp.528-533, 2000.5/6 C

Near-field coherent excitation spectroscopy of InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots: Y. Toda, T. Sugimoto M. Nishioka and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.76, No.26, pp.3887-3889, 2000.6.26 C

Near-field coherent excitation spectroscopy of InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots: Y. Toda, T. Sugimoto, M. Nishioka, and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.26, pp.3887-3889, 2000.6 C

Advanced optical devices for next generation high-speed communication systems and photonic networks: Y. Arakawa, K. Okamoto・IEICE Trans. Electron.vol.E83-C, 787-788, 2000.6 C

Photoluminescence of GaN Quantum Wells with AlGaN Barriers of Hight Aluminium Content: J. C. Harris, T. Someya, K. Hoshino, S. Kako and Y. Arakawa・Physica. stat. sol.(a)180, 339(2000), 2000.7 C

Emission at 247 nm from GaN quantum wells grown by MOCVD: T.Someya, K. Hoshino, J. C. Harris, K. Tachibana, S. Kako, and Y. Arakawa・MaterialResearch Society Symposium Proceedings Vol.595, W12.8.1-W12.8.5, 2000.7 C

ナノオプトエレクトロニクスの展望: 荒川泰彦(招待論文)・光学 特集ナノ量子構造デバイスと超高速光技術, Vol.8, 474, 2000.8.10 C

Time-resolved photoluminescence of GaN/Al0.5Ga0.5N quantum wells: J.C. Harris, T. Someya, S. Kako, K. Hoshino and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.77, No.7, pp.1005-1007, 2000.8.14 C

Photoluminescence from sub-monolayer-thick GaN/AlGaN quantum wells: T. Someya, K. Hoshino, J. C. Harris, K. Tchibana and Y. Arakawa・Applied PhysicsLetters Vol.77, No.9, pp.1336-1338, 2000.8 C

On the limitation of the内current sheet approximation in estimation of the northward Bz associated field-aligned currents: T. Yamamoto, S. Inoue and M. Ozaki J. Geophys. Res., Vol.105, No.A9, pp.21143-21157, 2000. 9 C

次世代窒化物半導体レーザーの展望 −青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー−: 染谷隆夫, 荒川泰彦・応用物理, 第69巻, 第10号, pp.1196-1199, 2000.10 C

Area-controlled growth of InAs Quantum dots and improvement of density and size distribution: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett., Vol.77, No.21, pp.3382-3384, 2000.11 C

Resonant Raman scattering of optical phonons in self-assembled quantum dots: Y. Toda, O.Moriwaki, M. Nishioka and Y. Arakawa・Physica E Vol.8,pp.328-332, 2000.12 C

High-density InGaN quantum dots fabricated by selective MOCVD growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・IPAP Conference Series1, pp.417-420, 2000.12 C

Formation of uniform 10-nm-scale InGaN quantum dots by selective MOCVD growth and their micro-photoluminescence intensity images: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・J. Crystal Growth Vol.221, pp.576-580, 2000.12 C

Occupation of the double subbands by the two-dimensional electron gas in the triangular quantum well at AlGaN/GaN heterostructures: Z.W. Zheng, B. Shen, R. Zhang, Y.S. Gui, C.P. Jiang, Z.X. Ma, S.L. Giuo, Y. SHi, T. SOmeya and Y. Arakawa・Phys. Rev. B, 62, R7739-7745, 2000 C

Double Subbands Occupation of the Two-Dimensional Electron Gas in Modulation-Doped Al(x)Ga(1-x)N/GaN Heterostructures: Z.W. Zheng, B. Shen, T. Zhang, Y.S. Gui, C.P. Jiang, Z.X. Ma, G.Z. Zheng, S.L. Guo, Y. Shi, P. Han, Y.D. Zhen, T. Someya and Y. Arakawa・Physical Review Letters, 2000 C

Growth of nitrided quantum dots for optoelectronic applications: Y. Arakawa, T. Someya, and T. Tachibana(Invited)・Photonics West, San Jose, USA, 2000.1.22-28 (Conf.3944)2000.1 D

Progress in quantum dots for optoelectronics devices: Y. Arakawa(Invited)・International Symposium on Ultraparallel Optoelectronics Kanagawa, Japan, 2000.1 D

Growth and physics of Gan-based quantum dot lasers and VCSELs: Y. Arakawa(Invited)・11th International Winterschool on New Developments in Solid State Physics, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS: FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS, Mauterndorf, Salzburg, Austria, 2000.3.21-25, 2000.2 D

Control of Formation Area of Self-Assembled InAs Quantum Dots Using Selective MOCVD Growth: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・Proceeding of the Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics pp.33-36, 2000.3 D

Contorl of formation area of self-assembled InAs quantum dots using MOCVD Selective Growth: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・The fourth IMternationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Photoluminescence of GaN Quanum Wells with AlGaN Barriers of Hight Aluminium Content: J.C Harris, T. Someya, K. Hoshino, S. Kako and Y. Arakawa・ISBLLED 2000, Proceedings of the Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 2000.3.6-10 D

Lifetime and intersubband transitin in thin GaN/AlGaN quantum wells: K. Hoshino, J. Harris, T. Someya and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Near-field spectroscopy of a single InAs quantum dot: Y. Toda, T. Sugimoto, M. Nishioka and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan (Poster Session), 2000.3 D

Near-field spectroscopy of a single InAs quantum dot: Y. Toda, T. Sugimoto, M. Nishioka and Y. Arakawa・The fourth IMternationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Growth and optical properties of InGaSb/GaAs self-assembled quantum dots: K. Suzuki and Y. Arakawa・The fourth Internationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Growth and optical properties of InGaSb/GaAs self-assembled quantum dots: K. Suzuki and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan (Poster Session), 2000.3 D

Micro-photoluminescence study of a single InGaN quantum dot: O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan(Poster Session), 2000.3 D

Selective growth of InGaN Quantum Dots by MOCVD: T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface andInterface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Formation of InGaN Quantum Dots: MOCVD Growth and Electronic Structures: T. Saito, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, O. Moriwaki and Y. Arakawa・The 3rd SANKEN Int. Symp. on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing(Memoirs of The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Special Issue, Vol.57, pp.167-168), 2000.3 D

Self-assembling of nanostructures and its control: Y. Arakawa・The fourth Internationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Cascaded Nonlinear Filters and Its Applications to Image Processing: H. Watabe, K. Arakawa and Y. Arakawa・The Forth Asian Fuzzy Systems Symposium, Tsukuba, Japan, OW3A-4, 2000.5 D

Light emission from a single InGaN quantum dot formed by selective area growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・Conference on Lasers and Electro-Optics, CWB6, USA, 2000.5 D

Time correlation measurement on single self-assembled quantum dots: Y. Toda, T. Sugimoto, M. Nishioka and Y. Arakawa・Quantum Electronics and LaserScience Conference, 2000.5 D

Formation of uniform 10-nm-scale InGaN quantum dots by selective MOCVD growth and their micro-photoluminescence intensity images: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, We-P41, Sapporo, Japan, 2000.6 D

Growth and optical properties of III-V quantum dots for optoelectronics applications: Y. Arakawa, T. Someya, Y.Toda and K. Tachibana(Invited)・The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, We-I12, Sapporo, Japan, 2000.6 D

Single quantum dot spectroscopy by SNOM: Y. Arakawa(Invited)・8th International Symposium Nanostructures: Physics and technology, Opening Session, St Persburg, Russia, 2000.6.19, 2000.6 D

Progress in quantum dots for lasers : from blue-fiolet to infrared: Y. Arakawa(Invited)・International Optoerlectronics Symposium, Photonics TAIWAN, Taipei, Taiwan, 2000.7.26-28, 2000.7 D

Progress in nitride - based quantum dots and heterostructures for optoelectronics applications: Y. Arakawa(Invited)・4th International Workshop of the Canadian - European Research Initiative on Nanostructures(CERION 2000), Wurzburg University, Germany, 2000.7.26-28, 2000.7 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa, T. Someya, K. Tachibana and K. Hoshino(Invited)・The fourth Furopean GaN Workshop, Invited Talk3, Nottngihuma, UK, 2000.7 D

Progress in Nitride-Based Nanostructures for Optoelectronics Device Applications: Y. Arakawa(Invited)・International Union -Matereal Research Symposium, Hong-Kong, 2000.7 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa(Invited), T. Someya, K. Tachibana and K. Hoshino・The Fourth European GaN Workshop, Nottingham, University of Nottingham, UK, 2000.7.2-5, 2000.7 D

Electronic Structure of InGaN Quantum Dots in GaN: Atomic Scale Calculations: T. Saito and Y. Arakawa・2000 Int. Conf. on Solid State Devicesand Materials, E-2-3, Sendai, Japan, 2000.8 D

Near-field Coherent Excitation Spectroscopy of InGaAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots: Y. Arakawa, Y. Toda and T. Sugimoto(Invited)・Japan-UK Meeting 2000, Maiko Villa, Kobe, Japan, 2000.9.22-24 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots for Optoelectronics Applications: Y. Arakawa, T. Someya and K. Tachibana(Invited)・International Workshop on Nitride Semiconductors -IWN2000-, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, pp.39-41, 2000.9.24-27 D

High-density InGaN quantum dots fabricated by selective MOCVD growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・International Workshopon Nitride Semiconductors, PMD-46, Nagoya, Japan, 2000.9 D

Observation of intersubband transition in AlGaN/GaN single heterostructures: K. Hoshino, T. Someya and Y. Arakawa・I25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, D246, Osaka, Japan, 2000.9 D

Suppression of yellow luminescence in multiple quantum wells revealed by below-gap excitation spectroscopy: N. Kamata, M. Hirasawa, J.M. Zaardi Ocampo, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya and Y. Arakawa・25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, E21,Osaka, Japan, 2000.9 D

Observation of ienhanced spontaneous emission coupling factor in blue InGaN microcavities: S. Kako, T. Someya and Y. Arakawa・25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, J12 Osaka, Japan, 2000.9 D

Manybody effects in single self-assembled quantum dots observed by near-filed photoluminescence exciation spectroscopy: Y. Toda, T. Sugimoto, M. NIshioka, S. Ishida and Y. Arakawa・I25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, D200, 2000.9 D

Many body effects in single self-assembled quantum dots observed by near-field photoluminescence excitation spectroscopy: Y. Toda, T. Sugimoto, S. Ishida, M. Nishioka and Y. Arakawa・25th International Conference on thePhysics of Semiconductors, 2000.9 D

Occupation of double subbands by two dimensional electron gas in the triangular quantum well at ALGaN/GaN interface: Z.W. Zheng, B. Shen, T. Someya, R. Zhang, Y.S. Gui and Y. Arakawa・I25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, H249, 2000.9 D

Quantum confined electronic states in InGaN dots embedded in GaN: Tight-binding calculation: T. Saito and Y. Arakawa・27th Int. Symp. on Compound Semiconductors, Montoray, USA, 2000.10 D

Progress in Nitride-Based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa and T. Someya(Invited)・Japan-Germany Nanotechnology Workshop, Berlin, Germany, 2000.10 D

Nonlinear-Linear Cascaded Filter and Its Application to Image Processing: H. Watabe, K. Arakawa and Y. Arakawa, 2000 InternationalSymposium on Information Theory and Its Applications, Honolulu, USA, 2000.11 D

Growth and Physics of Nitride-Based Quantum Dots: Y. Arakawa(Invited)・International Symposium on New Development in Strongly Correlated Electron Phase under Mutiple Environment, Osaka, Japan, 2000.11 D

Progress in Quantum Dot Lasers:From Blue to Infrared: Y. Arakawa(Invited)・Intenrational Conference on Future Electron Devices Kanazawa, Japan, 2000.11 D

Progress in Nitride-Based Nanostructures for Optoelectronics Device Applications: Y. Arakawa(Invited)・International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides, ST. Nactare, France, 2000.11 D

Distribution of below-gap states in GaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence: J. M. Z. Ocampo, N. Kamata, M. Hirasawa, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya, and Y. Arakawa・Proc. Int.Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser. Vol.1, pp.544-547, 2000. 11 D

Growth and Optical Properties of Nitride-Based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa, T. Someya, T. Tachibana and K. Hoshino(Invited)・International Symposium on Physics and Applications of Semiconducotrs, Cheju Island, Korea, 2000.12 D

Quantum Dot Lasers-- from Blue to Infrared: Y. Arakawa(Invited)・International Electron Devices and Materials Symposia ,National Central University(NCU)Chung-Li 320, Taiwan, R.O.C., 2000.12 D

Progress in Nitride-Based Nanostructures for Optoelectronics Device Applications: Y. Arakawa(Invited)・International Photonics Conference 2000, Taipei, Taiwan, 2000.12 D

Below-gap states in GaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence: J.M. Zanardi Ocampo, N. Kamata, M. Hirasawa, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya and Y. Arakawa・SBLLED 2000, Proceedings of the Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, France, 2000 D

21世紀社会に向けた光ITの展望 −光テクノロジーロードマップ策定の視点から−: 荒川泰彦・光産業シンポジウム, 虎の門パストラル, 東京, 2000.1 E

MOCVD選択成長によるInGaN量子ドットの作製と顕微フォトルミネッセンス: 橘 浩一, 染谷隆夫, 石田悟己, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-YQ-14, 2000.3 E

GaN中のInGaN量子ドットの電子構造: 斎藤敏夫, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-YQ-15, 2000.3 E

顕微PL法による InGaN 量子ドット構造の分光(2): 森脇 摂, 橘 浩一, 石田悟己, 染谷隆夫, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-YQ-16, 2000.3 E

単一量子ドット分光を用いたドット内のキャリア相互作用の観測: 杉本岳大, 戸田泰則, 石田悟己, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, p.1422, 2000.3 E

GaN/AlGaNダブルヘテロ構造における伝導特性のチャネル幅依存性: 染谷隆夫, 星野勝之, 沈  波, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 30p-YQ-16, 2000.3 E

多層非線形成分分離型フィルタによる顔画像美観化: 渡部宏明, 荒川 薫, 荒川泰彦・2000年電子情報通信学会, 総合大会, D-11-127, 2000.3 E

青色半導体レーザーと次世代への展開: 荒川泰彦(招待講演)・Laser Expo 2000レーザー学会特別技術セミナー(パシフィコ横浜)(I-1), 2000.4.20 E

単一量子ドット分光とコヒーレント制御: 荒川泰彦, 戸田泰則(招待講演)・第6回フェムト秒光エレクトロニクス研究会, 2000.5.18 E

Intersubband transition in GaN/AlGaN Multiple quantum wells: K. Hoshino, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), p.55, 2000.6.28 E

Near 1.3um emission at room temperature from InAsSb/GaAs self-assembled quantum dots on GaAs substrates: K. Suzuki and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), pp.35, 2000.6.28 E

Fabrication of InGaN quantum dot structures by selective growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), p.167, 2000.6.28 E

Room temperature mobility of Two-dimensional electron gasses in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate: T. Someya, K. Hoshino and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), p.211, 2000.6.28 E

ナノテクノロジーと次世代半導体光デバイス: 荒川泰彦・平成12年度第1回放射光・ナノリンク合同ワークショップ−IT革命を支える放射光ナノリンク−, 2000.8.22 E

MOCVD選択成長によるGaN 量子ドットの作製: 橘 浩一, 染谷隆夫, 石田悟己, 荒川泰彦・第61回応用物理学会学術講演会, 6a-L-9, 2000.9 E

分極電界を考慮したGaN系ナノ構造の電子状態の理論計算: 斎藤敏夫, 荒川泰彦・第61回応用物理学会学術講演会, 6a-L-8, 2000.9 E

高移動度GaN/AlGaNシングルヘテロ構造における磁気伝導特性: 染谷隆夫, J. C.Harris, 星野勝之, 沈 波, 西岡政雄, 川津琢也, 榊 裕之, 荒川泰彦・第61回応用物理学会学術講演会, 6p-L-13, 2000.9 E

ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用: 岡田卓也, 渡部宏明, 荒川 薫, 荒川泰彦・2000年電子情報通信学会 基礎・境界ソサイエティ大会, 2000.9 E

21世紀光情報テクノロジーの展望: 荒川泰彦(招待講演)・経団連シンポジウム「光技術とニュービジネス」−光科学・技術の未知なる可能性を求めて−, 2000.9.13 E

量子効果デバイスの現状と展望: 荒川泰彦・電子情報通信学会2000年エレクトロニクスソサイエティ大会, 量子効果デバイスシンポジウム, 名古屋工業大学, 名古屋, 2000.10 E

ナノオプトエレクトロニクスの展望: 荒川泰彦(招待講演)・電子情報通信学会, 2000年ソサイエティ大会プログラム, 第3回エレクトロニクス賞記念講演, 名古屋工業大学, 名古屋市, 2000.10.02 E

半導体ナノテクノロジーと次世代光デバイス: 荒川泰彦(招待講演)・京都大学先端科学技術シンポジウム, 2000.2 E

量子効果光デバイスの現状と展望: 荒川泰彦(招待講演)・電子情報通信学会, 2000年ソサイエティ大会プログラム, 名古屋工業大学, 名古屋市, 2000.10.2 E

半導体ナノテクノロジーと次世代量子デバイス: 荒川泰彦・三井業際研究所特別講演会, 2000.11 E

ε-分離型非線形ディジタルフィルタを用いた音声の雑音除去: 松浦浩平, 渡部宏明, 荒川 薫, 荒川泰彦・第15回ディジタル信号処理シンポジウム, D1-1, 2000.11 E

21世紀ユビキタス情報社会におけるワイヤレス技術の展望: 荒川泰彦・新機能素子協会, エネルギー使用合理化に係るIT革命をサポートする高周波デバイスの開発に関する調査研究会, 2000.11 E

ε-分離型非線形フィルタバンクの提案とその顔画像美観化への応用: 岡田卓也, 渡部宏明, 荒川 薫, 荒川泰彦・第15回ディジタル信号処理シンポジウム, D1-2, 2000.11 E

GaAs/AlGaAs半導体超格子構造中のみにバンド伝導とテラヘルツ放射: 島田洋蔵, 松野哲也, 平川一彦, 荒川泰彦・応用物理学会, 2000 E

半導体ナノテクノロジーと光・電子デバイスの展開: 荒川泰彦(招待講演)・第4回量子情報技術研究会, QIT2000-24, 東京, 11月(2000), 2000 E

GaN量子井戸層の二波長励起フォトルミネッセンス評価: 平澤 学, サナルディ ホセ, 星野勝之, 鎌田憲彦, 染谷隆夫, 荒川泰彦・応用物理学会, 2000 E

青色面発光レーザと青色量子ドットレーザ −半導体レーザと固体レーザにおける短波長化を探る−: 染谷隆夫, 橘 浩一, 荒川泰彦・光技術コーディネイトジャーナル, OPTRONICS, No.217(特集pp.84-88), 2000.1 G

Self-assembling of nanostructures and its control: Y. Arakawa・原子スケール表面・界面ダイナミクス(学振未来開拓学術研究), ニュースレター第6号, 2000.2 G

染谷 研究室 Someya Lab.

Effect of carrier confinement on photoluminescence from modulation-doped Al(x)Ga(x-1)N/GaN heterostructures: B.Shen, T. Someya, O. Moriwaki and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.76, No.6, pp.679-681, 2000.2.7 C

Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD: J. Tatebayashi, S. Ishida, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa, Jpn. J. of Appl. Phys.vol.39, part1, No.4B, pp.2344-2346, 2000.4 C

Narrow photoluminescence peaks from localized states in InGaN quantum dot structures: O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.17, pp.2361-2363, 2000.4 C

Progress in GaN-Based Nanostructures for Blue Light Emitting Quantum Dot Lasers and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers: Y. Arakawa, T. Someya and K. Tachibana(Invited)・IEICE TRANS. ELECTRON., Vol.E83-C, No.4, 2000.4 C

Influence of strain relaxation of the Al(x)Ga(1-x)N barrier on transport properties of the two-dimensional electron gas in modulation-doped Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures: B. Shen, T. Someya, and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.76, No.19, pp.2746-2748 2000.5.8 C

Photoluminescence from two-dimensional electron gas in modulation-doped AlGaN/GaN heterostructures: B. Shen, T. SOmeya, O. Moriwali and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.939-943 2000.5 C

Spectroscopy of nonradiative recombination centers in quantum wells by two-wavelength excited photoluminescence: J. M. Z. Ocampo, N. Kamata, K. Hoshino, K. Endoh, K. Yamada, M.Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・J. Lumin., Vol.87-89, pp.363-365, 2000.5 C

Growth of InGaN self-assembled quantum dots and their application to lasers: K. Tachibana, T. Someya and Y. Arakawa・IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics Vol.6, No.3, 475-481, 2000.5 C

MOCVD growth of a stacked InGaN quantum dot structure and its lasing oscillation at room temperature: K. Tachibana, T. Someya, R. Werner, A. Forchel and Y. Arakawa・Physica E, Vol.7, No.3-4, pp.944-948, 2000.5 C

Selective growth of InGaN quantum dot structures and their microphotoluminescence at room temperature: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.22, pp.3212-3214, 2000.5 C

Photoluminescence of GaN Quantum Wells with AlGaN Barriers of Hight Aluminium Content: J. C. Harris, T. Someya, K. Hoshino, S. Kako and Y. Arakawa・Physica. stat. sol.(a)180, 339(2000), 2000.7 C

Emission at 247 nm from GaN quantum wells grown by MOCVD: T. Someya, K. Hoshino, J. C. Harris, K. Tachibana, S. Kako and Y. Arakawa・MaterialResearch Society Symposium Proceedings, Vol.595, W12.8.1-W12.8.5, 2000.7 C

Time-resolved photoluminescence of GaN/Al0.5Ga0.5N quantum wells: J.C. Harris, T. Someya, S. Kako, K. Hoshino and Y. Arakawa・Applied Physics Letters, Vol.77, No.7, pp.1005-1007, 2000.8.14 C

Photoluminescence from sub-monolayer-thick GaN/AlGaN quantum wells: T. Someya, K. Hoshino, J. C. Harris, K. Tchibana and Y. Arakawa・Applied PhysicsLetters Vol.77, No.9, pp.1336-1338, 2000.8 C

次世代窒化物半導体レーザーの展望 −青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー−: 染谷隆夫, 荒川泰彦・応用物理, 第69巻, 第10号, pp.1196-1199, 2000.10 C

Area-controlled growth of InAs Quantum dots and improvement of density and size distribution: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・Appl. Phys. Lett., Vol.77, No.21, pp.3382-3384, 2000.11 C

High-density InGaN quantum dots fabricated by selective MOCVD growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・IPAP Conference Series1, pp.417-420, 2000.12 C

Formation of uniform 10-nm-scale InGaN quantum dots by selective MOCVD growth and their micro-photoluminescence intensity images: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・J. Crystal Growth Vol.221, pp.576-580, 2000.12 C

Occupation of the double subbands by the two-dimensional electron gas in the triangular quantum well at AlGaN/GaN heterostructures: Z.W. Zheng, B. Shen, R. Zhang, Y.S. Gui, C.P. Jiang, Z.X. Ma, S.L. Giuo, Y. SHi, T. SOmeya and Y. Arakawa・Phys. Rev. B, 62, R7739-7745, 2000 C

Double Subbands Occupation of the Two-Dimensional Electron Gas in Modulation-Doped Al(x)Ga(1-x)N/GaN Heterostructures: Z.W. Zheng, B. Shen, T. Zhang, Y.S. Gui, C.P. Jiang, Z.X. Ma, G.Z. Zheng, S.L. Guo, Y. Shi, P. Han, Y.D. Zhen, T. Someya and Y. Arakawa・Physical Review Letters, 2000 C

Growth of nitrided quantum dots for optoelectronic applications:Y. Arakawa, T. Someya and T. Tachibana(Invited)・Photonics West, San Jose, USA, 2000.1.22-28(Conf.3944), 2000.1 D

Photoluminescence of GaN Quanum Wells with AlGaN Barriers of Hight Aluminium Content: J.C Harris, T. Someya, K. Hoshino, S. Kako, Y. Arakawa・ISBLLED 2000, Proceedings of the Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 2000.3.6-10 D

Control of Formation Area of Self-Assembled InAs Quantum Dots Using Selective MOCVD Growth: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya, and Y. Arakawa・Proceeding of the Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics pp.33-36, 2000.3 D

Contorl of formation area of self-assembled InAs quantum dots using MOCVD Selective Growth: J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya and Y. Arakawa・The fourth IMternationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Micro-photoluminescence study of a single InGaN quantum dot: H. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana and Y. Arakawa・The fourth IMternationa Symposium on Atomic-scale Surface and Interface SYnamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Lifetime and intersubband transitin in thin GaN/AlGaN quantum wells: K. Hoshino, J. Harris, T. Someya and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Micro-photoluminescence study of a single InGaN quantum dot: O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba, Japan(Poster Session), 2000.3 D

Formation of InGaN Quantum Dots: MOCVD Growth and Electronic Structures: T. Saito, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, O. Moriwaki and Y. Arakawa・The 3rd SANKEN Int. Symp. on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing(Memoirs of The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Special Issue, Vol.57, pp.167-168), 2000.3 D

Selective growth of InGaN Quantum Dots by MOCVD: T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida and Y. Arakawa・The Fourth Symposium on Atomic-scale Surface andInterface Dynamics, Tsukuba, Japan, 2000.3 D

Light emission from a single InGaN quantum dot formed by selective area growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・Conference on Lasers and Electro-Optics, CWB6, USA, 2000.5 D

Formation of uniform 10-nm-scale InGaN quantum dots by selective MOCVD growth and their micro-photoluminescence intensity images: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, We-P41, Sapporo, Japan, 2000.6 D

Growth and optical properties of III-V quantum dots for optoelectronics applications: Y. Arakawa, T. Someya, Y.Toda and K. Tachibana(Invited)・The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, We-I12, Sapporo, Japan, 2000.6 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa(Invited), T. Someya, K. Tachibana and K. Hoshino・The Fourth European GaN Workshop, Nottingham, University of Nottingham, UK, 2000.7.2-5 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa, T. Someya, K. Tachibana and K. Hoshino(Invited)・The fourth Furopean GaN Workshop, Invited Talk3, Nottngihuma, UK, 2000.7 D

Growth and Physics of Nitride-based Quantum Dots for Optoelectronics Applications: Y. Arakawa, T. Someya and K. Tachibana(Invited)・International Workshop on Nitride Semiconductors -IWN2000-, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, pp.39-41, 2000.9.24-27 D

High-density InGaN quantum dots fabricated by selective MOCVD growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・International Workshopon Nitride Semiconductors, PMD-46, Nagoya, Japan, 2000.9 D

Suppression of yellow luminescence in multiple quantum wells revealed by below-gap excitation spectroscopy: N. Kamata, M. Hirasawa, J.M. Zaardi Ocampo, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya and Y. Arakawa・25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, E21,Osaka, Japan, 2000.9 D

Observation of intersubband transition in AlGaN/GaN single heterostructures: K. Hoshino, T. Someya and Y. Arakawa・I25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, D246, Osaka, Japan, 2000.9 D

Observation of ienhanced spontaneous emission coupling factor in blue InGaN microcavities: S. Kako, T. Someya and Y. Arakawa・25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, J12 Osaka, Japan 2000.9 D

Occupation of double subbands by two dimensional electron gas in the triangular quantum well at ALGaN/GaN interface: Z.W. Zheng, B. Shen, T. Someya, R. Zhang, Y.S. Gui and Y. Arakawa・I25th nternationa Confernece on Pysics of Smicondutors, H249, 2000.9 D

Progress in Nitride-Based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa and T. Someya(Invited)・Japan-Germany Nanotechnology Workshop, Berlin, Germany, 2000.10 D

Distribution of below-gap states in GaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence: J. M. Z. Ocampo, N. Kamata, M.Hirasawa, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya and Y. Arakawa・Proc. Int.Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser. Vol.1, pp.544-547, 2000.11 D

Growth and Optical Properties of Nitride-Based Quantum Dots and Heterostructures: Y. Arakawa, T. Someya, T. Tachibana and K. Hoshino(Invited)・International Symposium on Physics and Applications of Semiconducotrs, Cheju Island, Korea, 2000.12 D

Below-gap states in GaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence: J.M. Zanardi Ocampo, N. Kamata, M. Hirasawa, K. Hoshino, K. Yamada, T. Someya and Y. Arakawa・SBLLED 2000, Proceedings of the Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, France, 2000 D

MOCVD 選択成長による InGaN 量子ドットの作製と顕微フォトルミネッセンス: 橘 浩一, 染谷隆夫, 石田悟己, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-YQ-14, 2000.3 E

顕微PL法による InGaN 量子ドット構造の分光(2): 森脇 摂, 橘 浩一, 石田悟己, 染谷隆夫, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-YQ-16, 2000.3 E

GaN/AlGaNダブルヘテロ構造における伝導特性のチャネル幅依存性: 染谷隆夫, 星野勝之, 沈  波, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, 30p-YQ-16, 2000.3 E

単一量子ドット分光を用いたドット内のキャリア相互作用の観測: 杉本岳大, 戸田泰則, 石田悟己, 西岡政雄, 染谷隆夫, 荒川泰彦・第47回応用物理学関係連合講演会, p.1422, 2000.3 E

Intersubband transition in GaN/AlGaN Multiple quantum wells: K. Hoshino, T. Someya, K. Hirakawa and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), pp.55, 2000.6.28 E

Fabrication of InGaN quantum dot structures by selective growth: K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), p.167, 2000.6.28 E

Room temperature mobility of Two-dimensional electron gasses in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate: T. Someya, K. Hoshino and Y. Arakawa・19th Electronic Materials Symposium(EMS19), p.211, 2000.6.28 E

MOCVD 選択成長による GaN 量子ドットの作製: 橘 浩一, 染谷隆夫, 石田悟己, 荒川泰彦・第61回応用物理学会学術講演会, 6a-L-9, 2000.9 E

高移動度GaN/AlGaNシングルヘテロ構造における磁気伝導特性: 染谷隆夫, J.C. Harris, 星野勝之, 沈  波, 西岡政雄, 川津琢也, 榊 裕之, 荒川泰彦・第61回応用物理学会学術講演会, 6p-L-13, 2000.9 E

GaN量子井戸層の二波長励起フォトルミネッセンス評価: 平澤 学, サナルディ・ホセ, 星野勝之, 鎌田憲彦, 染谷隆夫, 荒川泰彦・応用物理学会, 2000 E

青色面発光レーザと青色量子ドットレーザ-半導体レーザと固体レーザにおける短波長化を探る: 染谷隆夫, 橘 浩一, 荒川泰彦・光技術コーディネイトジャーナル, OPTRONICS No.217(特集p.84-88), 2000.1 G

平本 研究室 Hiramoto Lab.

Control of Coulomb blockade oscillations in silicon single electron transistor using silicon nano-crystal floating gates: N. Takahashi, H. Ishikuro and T. Hiramoto・Applied Physics Letters, Vol.76, No.2, pp.209 - 211, 2000.1 C

Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias: T. Hiramoto and M. Takamiya(Invited)・IEICE Transactions on Electronics, Vol.E83-C, No.2, pp.161-169, 2000.2 C

Suppression of Stand-by Tunnel Current in Ultra-Thin-Gate Oxide MOSFETs by Dual Oxide Thickness MTCMOS(DOT-MTCMOS): T. Inukai and T. Hiramoto・Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, No.4B, pp.2287-2290, 2000.4 C

Optimum Conditions of Body Effect Factor and Substrate Bias in Variable Threshold Voltage MOSFETs: H. Koura, M. Takamiya and T. Hiramoto・Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, No.4B, pp.2312-2317, 2000.4 C

Random telegraph signals and low-frequency noise in n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultranarrow channels: H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, J. Wu, S. L. Gu, Y. D. Zheng, H. Majima, H. Ishikuro and T. Hiramoto・Applied Physics Letters, Vol.76, No.22, pp.3259-3261, 2000.5 C

Impact of the Device Scaling on the Low-Frequency Noise in n-MOSFETs: H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, Y. D. Zheng, S.H. Gu, H. Majima, H. Ishikuro and T. Hiramoto・Applied Physics A: Material and Processing, Vol.A71, No.2, pp.133-136, June, 2000.6 C

Magnetic actuation of bending and torsional vibrations for 2D-optical scanner application: A. Garnier, T. Bourouina, H. Fujita, T. Hiramoto, E. Orsier, J-C. Peuzin・Sensors and Actuators A, Physical, Vol.84, No.1-2, pp.156-160, 2000.8 C

電子1個で動くトランジスタ: 平本俊郎・電気学会誌, Vol.120, No.8/9, pp.518 - 521, 2000.8 C

Effects of interface traps in silicon-quantum-dots-based memory structures: X. L. Yuan, Y. Shi, S. L. Gu, J. M. Zhu, Y. D. Zheng, K. Saito, H. Ishikuro and T. Hiramoto・Physica E, Vol.8, No.2, pp.189-193, 2000.8 C

Experimental Evidence for Quantum Mechanical Narrow Channel Effect in Ultra-Narrow MOSFETs: H. Majima, H. Ishikuro and T. Hiramoto・IEEE Electron Devices Letters, Vol.21, No.8, pp.396-398, 2000.8 C

Separation of Effects of Statistical Impurity Number Fluctuations and Position Distribution on Vth Fluctuations in Scaled MOSFETs: Y. Yasuda, M. Takamiya and T. Hiramoto・IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.47, No.10, pp.1838-1842, 2000.10 C

Threshold Voltage Fluctuations Induced by Statistical“Position”and“Number”Impurity Fluctuations in Bulk MOSFETs: Y. Yasuda, M. Takamiya and T. Hiramoto・Superlattices and Microstructures, Vol.28, No.5/6, pp.357-361, 2000.11/12 C

Dynamics of Tunneling into Charge-Tunable Si Quantum Dots: Y. Shi, X. L. Yuan, J. Wu, H. M. Bu, H. G. Yang, P. Han, Y. D. Zheng and T. Hiramoto・Superlattices and Microstructures, Vol.28, No.5/6, pp.387-392, 2000.11/12 C

To fill the gap between Si-ULSI and nanodevices: T. Hiramoto(Invited)・International Journal of High Speed Electronics and Systems(IJHSES), Vol.10, No.1, pp.197-203, 2000 C

A Fast Robust and Simple 2-D Micro-Optical Scanner Based on Contactless Magnetostrictive Actuation: A. Garnier, T. Bourouina, E. Orsier, T. Masuzawa, H. Fujita, T. Hiramoto and J-C. Peuzin・The thirteenth Annual International Conference on Micro Electro Mechanical Systems(IEEE MEMS 2000), Miyazaki, Japan, pp.714-719, 2000.1 D

Formation of silicon quantum dots and characteristic distribution of silicon nano-crystal memories: T. Hiramoto, E. Nagata and N. Takahashi・The Fourth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tsukuba Convention Center, Ibaraki, Japan, pp.37-40, 2000.3 D

Single electron charging and quantum effects in silicon nano-scale devices: T. Hiramoto・UK-Japan 10+10 Meeting on New Developments in Semiconductor Physics, Devices and Materials, Oxford University, UK, 2000.3 D

Boosted Gate MOS(BGMOS): Device/Circuit Cooperation Scheme to Achieve Leakage-Free Giga-Scale Integration: T. Inukai, M. Takamiya, K. Nose, H. Kawaguchi, T. Hiramoto and T. Sakurai・Custom Integrated Circuits Conference, Florida, USA, pp.409-412, 2000.5 D

Threshold Voltage Fluctuations Induced by Statistical“Position”and“Number”Impurity Fluctuations in Bulk MOSFETs: Y. Yasuda, M. Takamiya and T. Hiramoto・2000 Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Hawaii, USA, pp.40-41, 2000.6 D

The Dynamics of Tunneling into Charge-Tunable Si Quantum Dots: Y. Shi, X. L. Yuan, J. Wu, H. M. Bu, H. G. Yang, P. Han, T. Hiramoto and Y. D. Zheng・2000 Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Hawaii, USA, pp.67-68, 2000.6 D

Optimum Device Parameters and Scalability of Variable Threshold CMOS(VTCMOS): T. Hiramoto, M. Takamiya, H. Koura, T. Inukai, H. Gomyo, H. Kawaguchi and T. Sakurai(Invited)・2000 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), Sendai, Japan, pp.372-373, 2000.8 D

Characteristics of Silicon Nano-Scale Devices: T. Hiramoto and H. Majima(Invited)・International Conference on Simulation of Semiconductors Processes and Devices(SISPAD 2000), Seattle, USA, pp.179-183, 2000.9 D

Large Electron Addition Energy above 250 meV in the Silicon Quantum Dot in a Single Electron Transistor: T. Hiramoto, N. Takahashi, H. Ishikuro and M. Saito・Third International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures(QDS 2000), Hokkaido University, Sapporo, Japan, p.4, 2000.9 D

Device Parameters for Electron Number Control in MOSFET Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots: H. N. Wang, N. Takahashi, H. Majima, T. Inukai and T. Hiramoto・Third International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures(QDS 2000), Hokkaido University, Sapporo, Japan, p.116, 2000.9 D

Large Electron Addition Energy in the Silicon Quantum Dot in a Single Electron Transistor: T. Hiramoto, N. Takahashi, H. Ishikuro and M. Saitoh・Japan-UK Meeting, Maiko Villa Kobe, Kobe, Japan, 2000.9 D

Integration of Silicon Single Electron Transistors: T. Hiramoto・Strategy in Nanoelectronics: Japanese German Symposium, Japanese-German Center Berlin, Berlin, Germany, 2000.10 D

Effects of quantum level spacing on transport in silicon single electron transistors with an ultra-small quantum dot: Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto・4th International Workshop on Quantum Functional Devices(QFD2000), Kanazawa Art Hall, Kanazawa, Japan, pp.135-136, 2000.11 D

SOIデバイス最新技術動向: 平本俊郎・日本学術振興会超集積化デバイス・システム第165委員会第13回研究会, 弘済会館(東京), p.9-14, 2000.1 E

Si単電子デバイスの集積化による電流スイッチの試作: 高橋信義, 石黒仁揮, 平本俊郎・電子情報通信学会電子デバイス研究会およびシリコン材料・デバイス研究会合同研究会, 北海道大学(北海道), ED99-299, SDM99-192, 2000.2 E

MOS構造を有するシリコン単電子デバイスとその集積化に関する研究: 平本俊郎, 高橋信義・特定領域研究「単電子デバイスとその高密度集積化」平成11年度成果報告会, 弘済会館(東京), pp.145-148, 2000.2 E

20年後のVLSIデバイス: 平本俊郎・JST平成11年度異分野研究者交流フォーラム「20年後のエレクトロニクスへ向けて−材料面から見たエレクトロニクス・デバイス−」, 大仁ホテル, 伊豆(静岡), p.133, 2000.3 E

Variable Threshold CMOS(VTVMOS)における基板バイアス定数と基板電位の最適条件とそのスケーリング: 小宇羅寛, 高宮 真, 犬飼貴士, 平本俊郎・電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 機会振興会館(東京), SDM99-228, 2000.3 E

エリアペナルティとボディ遅延を考慮したDTMOS技術の有用性の検討: 高宮 真, 平本俊郎・2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学(東京), 29a-ZK-1, 2000.3 E

Boosted Gate MOS(BGMOS)によるリークフリー回路の提案: 犬飼貴士, 高宮 真, 野瀬浩一, 川口 博, 桜井貴康, 平本俊郎・2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学(東京), 28p-YA-10, 2000.3 E

シリコン微結晶浮遊ゲートを用いた集積SETのピーク位置独立制御と電流スイッチの試作: 高橋信義, 石黒仁揮, 平本俊郎・2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学(東京), 29p-C-4, 2000.3 E

バルク及び完全空乏型SOI MOSFETにおける統計的不純物ゆらぎによる閾値電圧ばらつきの比較: 安田有里, 高宮 真, 平本俊郎・2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学(東京), 30a-YB-7, 2000.3 E

シリコン微結晶を用いた細線MOSFETメモリにおける特性ばらつきの解析: 永田英次, 高橋信義, 安田有里, 犬飼貴士, 石黒仁揮, 平本俊郎・2000年春季第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学(東京), 29p-C-12, 2000.3 E

シリコン単電子トランジスタ: 平本俊郎・平成12年度放射光・ナノリンク合同ワークショップ, 東京大学工学部, 2000.8 E

Boosted Gate MOS(BGMOS): デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案: 犬飼貴士, 高宮 真, 野瀬浩一, 川口 博, 桜井貴康, 平本俊郎・電子情報通信学会集積回路研究会・電子デバイス研究会・シリコン材料・デバイス研究会合同研究会, 北見工業大学(北海道), ED2000-124, SDM2000-106, ICD2000-60, 2000.8 E

Boosted Gate MOSとSuper Cut-off CMOSによるリークフリー回路: 犬飼貴士, 高宮 真, 野瀬浩一, 川口 博, 桜井貴康, 平本俊郎・2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 6a-ZE-3, 2000.9 E

Effects of Dot Size and Its Distribution on Electron Number Control in MOSFET Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots: H. N. Wang, N. Takahashi, H. Majima, T. Inukai and T. Hiramoto・2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学,  4p-R-6, 2000.9 E

量子効果を考慮したシリコン極微細ドット単電子トランジスタの電気伝導シミュレーション: 齋藤真澄, 石黒仁揮, 平本俊郎・2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 4a-R-11, 2000.9 E

高・強誘電体膜を用いた極低電圧・超低消費電力FET, 及び高性能新機能素子の開発: 平本俊郎・特定領域研究A「超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究」第1回研究会, 東京大学工学部, 2000.9 E

Control of Electron Number in Silicon Quantum Dots for Clustered Electron Memory Application: T. Hiramoto, H. N. Wang, H. Majima, T. Inukai and M. Saitoh・The First CREST Symposium on“Function Evolution of Materials and Devices Based on Electron/Photon Related Phenomena”, JAホール(東京), p.82, 2000.10 E

シリコン単電子トランジスタとその集積化: 平本俊郎・第3回分子エレクトロニクス研究会, メルパルク松山(愛媛), 2000.11 E

VLSIデバイスの基礎: 平本俊郎・VLSI回路設計基礎講座, 本郷(東京), 2000.11 E

シリコン単電子トランジスタにおける室温での大きなクーロンブロッケード振動: 齋藤真澄, 高橋信義, 平本俊郎・第12回日本MRS学術シンポジウム, かながわサイエンスパーク(川崎), p. 164, H2-P01-M, 2000.12 E

先進プロセッサ用デバイスの技術動向: 平本俊郎・先進新機能プロセッサ技術研究委員会報告書, 新機能素子研究開発協会, pp.13-23, 2000.3 F

Clustered Electron Memory and Its Applications to Device Control: T. Hiramoto・News Letter of Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena, CREST, 科学技術振興事業団, 2000.5 G

高橋 研究室 Takahashi Lab.

Phase Detection of Electrostatic Force by AFM with a Conductive Tip: T. Takahashi and T. Kawamukai・Ultramicroscopy, Vol.82, pp.63-68, 2000.2 C

Kelvin Probe Force Microscopy on InAs Thin Films on(110)GaAs Substrates: T. Takahashi, T. Kawamukai, S. Ono, T. Noda and H. Sakaki・Japanese Journal of Applied Physics,Vol.39, pp.3721-3723, 2000.6 C

Local Capacitance Measurements on InAs dot-covered GaAs Surfaces by Scanning Capacitance Microscopy: H. Yamamoto, T. Takahashi and I. Kamiya・Applied Physics Letters, Vol.77, pp.1994-1996, 2000.9 C

Kelvin Probe Force Microscopy on InAs Nanostructures Grown on(110)GaAs Vicinal Substrates: T. Takahashi, S. Ono and M. Takeuchi・Scanning Probe Microscopy, Cantilever Sensors and Nanostructures(Heidelberg 2000), Heidelberg, Germany, p.45, 2000.5 D

Capacitance and Conductance Measurements of embedded InAs Quantum Dots in GaAs: H. Yamamoto, I. Kamiya and T. Takahashi・The 2nd International Conference on Scanning Probe Spectroscopy, Hamburg, Germany, P74, p.59, 2000.7 D

Kelvin Probe Force Microscopy for Surface Potential Measurements on InAs Nanostructures Grown on(110)GaAs Vicinal Substrates: S. Ono, M. Takeuchi and T. Takahashi・2000 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2000), Sendai, Japan, D-5-5, pp.332-333, 2000.8 D

Capacitance and Conductance Measurements on Self-Assembled InAs Quantum Dots Studied by Scanning Capacitance Microscopy: H. Yamamoto, I. Kamiya and T. Takahashi・The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM(3), Atagawa, Japan, P-14, p.68, 2000.12 D

Surface Potential Measurements on InAs Nanostructures by Kelvin Probe Force Microscopy: S. Ono, M. Takeuchi and T. Takahashi・The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM(3), Atagawa, Japan, S8-8, p.41, 2000.12 D

ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたGaAs(110)微傾斜基板上InAsナノ構造の表面電位測定: 小野志亜之, 武内道一, 高橋琢二・第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 4p-ZR-10, p.1152, 2000.9 E

前田(久)研究室 Maeda H. Lab.

振動水柱による弾性浮体の応答低減効果に関する研究: 前田久明, 大西泰史, 林 昌奎, 居駒知樹, 鷲尾幸久, 大澤弘敬, 有田 守・日本造船学会論文集, 第188号, pp.279-285, 2000.11 C

超大型浮体式構造物を利用した複合型海洋エネルギー基地に関する基礎的研究: 有田 守, 前田久明, 増田光一, 林 昌奎, 居駒知樹・日本造船学会論文集, 第188号, pp.271-278, 2000.11 C

防波堤に囲まれた超大型浮体の弾性挙動特性に関する研究: 増田光一, 佐野堅一, 前田久明, 林 昌奎, 居駒知樹・日本造船学会論文集, 第188号, pp.311-316, 2000.11 C

Behavior of Very Large Floating Structure Under Construction in Irregular Waves: H. Maeda, T. Ikoma, K.i Masuda and C.-K. Rheem・Proc. of the 19th Int Conf on OMAE 2000, Vol.2, pp.123-131, ASME, 2000.2 D

Hydro-elastic Response Reduction System of A Very Large Floating Structure with Wave Energy Floating Structure with Wave Energy Absorption Devices: H. Maeda, Y. Washio, H. Osawa, C.K. Rheem, T. Ikoma,Y. Onishi and M. Arita・Proc. of Int conf on OCEANS2000, MTS/IEEE, Vol.I, pp.527-531, 2000.9 D

Slowly Varying Wave Drifting Force on A Very Large Floating Structure in Short Crested Waves: T. Ikoma, H. Maeda, C.K. Rheem・Proc. of Int conf on OCEANS2000, MTS/IEEE, Vol.I pp.533-539, 2000.9 D

防波堤を考慮した超大型浮体式海洋構造物の波浪中弾性応答に関する基礎的研究: 佐野堅一, 居駒知樹, 前田久明, 増田光一・第15回海洋工学シンポジウム, 日本造船学会, pp.145-150, 2000.1 E

L型弾性浮体の波浪中応答特性の推定: 藤田尚毅, 緒方重人, 居駒知樹, 前田久明, 増田光一・第15回海洋工学シンポジウム, 日本造船学会, pp.151-158, 2000.1 E

波エネルギー吸収機構付き弾性浮体の波浪応答特性について: 大西泰史, 有田 守, 大澤弘敬, 鷲尾幸久, 佐藤千昭, 居駒知樹, 前田久明・第15回海洋工学シンポジウム, 日本造船学会, pp.173-178, 2000.1 E

閉鎖海域において浮体式海洋構造物に作用する海震荷重に関する研究: 大谷 誠, 高村浩彰, 別所正利, 前田久明, 増田光一・第15回海洋工学シンポジウム, 日本造船学会, pp.201-206, 2000.1 E

超大型浮体式海洋構造物を利用した複合型海洋エネルギー吸収システムに関する基礎的研究: 有田 守, 増田光一, 前田久明, 居駒知樹, 鷲尾幸久, 大澤弘敬・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10003, pp.277-278, 2000.9 E

震源から地盤中を伝播して水中に伝わる地震動水圧特性に関する基礎的研究: 高村浩彰, 増田光一, 前田久明, 別所正利・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10015, pp.301-302, 2000.9 E

防波堤を考慮した超大型浮体式海洋建築物の弾性応答性状に関する基礎的研究 ―その1 防波堤の影響―: 佐野堅一, 増田光一, 前田久明, 居駒知樹・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10031, pp.333-334, 2000.9 E

防波堤を考慮した超大型浮体式海洋建築物の弾性応答性状に関する基礎的研究 ―その2 フェーズIIモデルの検討―: 緒方重人, 佐野堅一, 増田光一, 前田久明, 居駒知樹・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10032, pp.335-336, 2000.9 E

空気室を有する超大型浮体式海洋構造物の応答 制に関する実験的研究: 伊藤和彰, 前田久明, 増田光一, 鷲尾幸久, 大澤弘敬, 居駒知樹, 有田 守・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10034, pp.339-340, 2000.9 E

圧力分布法による空気室付弾性浮体の流体力解析法について: 居駒知樹, 前田久明, 鷲尾幸久, 大澤弘敬, 増田光一・日本建築学会大会学術講演梗概集, 10035, pp.341-342, 2000.9 E

第2回海事工学シンポジウム−パネル討論「21世紀の海洋工学」: 前田久明・日本造船学会誌, 第855号, pp.619-634, 2000.9 G


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