本所 情報・エレクトロニクス系部門所属の小林 正治 准教授、大学院学生 多川 友作 君、莫 非 特任研究員、更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授が第１回IEEE EDSLeo Esaki Awardを受賞し、2020年12月14日（月）よりオンライン開催されたIEEE Electron Device Meeting（IEDM）において授賞されました。同賞はノーベル物理学賞を受賞された江崎 玲於奈 先生のお名前を冠した賞であり、2019年に創設されました。電子デバイス分野で著名なIEEE Journal of Electron Devices Societyに掲載された年間最優秀論文に対して授与される賞です。小林准教授のグループが栄えある第１回の受賞となりました。

受賞対象となった研究題目は「（邦訳）金属置換プロセスを用いた強誘電体HfO₂トンネル接合メモリによる高トンネル電気抵抗効果と多値動作の実験実証」です。1971年に理論的な提案がなされて以来実現されてこなかった強誘電体トンネル接合メモリを、物理に基づくデバイス設計と新しい材料プロセス技術を用いて本所のクリーンルームで試作し、世界最高レベルの性能と多値動作をはじめて実証しました。本成果によってビッグデータを利活用するための次世代ストレージメモリの実現が期待されます。

（情報・エレクトロニクス系部門　准教授　小林 正治）